【摘要】：鋅(Zn)擴(kuò)散是制作InP基光電探測(cè)器(PD)的重要工藝過(guò)程。分析了鋅擴(kuò)散的機(jī)制,利用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)設(shè)備對(duì)InP基PD及雪崩光電探測(cè)器(APD)材料進(jìn)行了鋅擴(kuò)散,由于MOCVD設(shè)備具有精確的溫度控制系統(tǒng),所以該擴(kuò)散工藝具有簡(jiǎn)單、均勻性好、重復(fù)性好的優(yōu)點(diǎn)。對(duì)于擴(kuò)散后的樣品,采用電化學(xué)C-V方法和掃描電子顯微鏡(SEM)等測(cè)試分析手段,研究了退火、擴(kuò)散溫度、擴(kuò)散源體積流量和反應(yīng)室壓力等主要工藝參數(shù)對(duì)InP材料擴(kuò)散速率和載流子濃度的影響,并將該鋅擴(kuò)散工藝應(yīng)用于InP基光電探測(cè)器和雪崩光電探測(cè)器的器件制作中,得到了優(yōu)異的器件性能結(jié)果。
[Abstract]:Zinc (Zn) diffusion is an important process for making InP based photodetector (PD). The mechanism of zinc diffusion was analyzed. Zinc diffusion was carried out on InP based PD and avalanche photodetector (APD) materials by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) equipment. Because of the precise temperature control system of MOCVD equipment, Therefore, the diffusion process has the advantages of simple, good uniformity and good repeatability. For the diffused samples, the annealing and diffusion temperatures were studied by electrochemical C-V method and scanning electron microscope (SEM) (SEM). The effect of the main process parameters such as volume flow rate of diffusion source and pressure of reaction chamber on the diffusion rate and carrier concentration of InP materials was investigated. The zinc diffusion process was applied to the fabrication of InP based photodetectors and avalanche photodetectors. Excellent performance results are obtained.
【作者單位】： 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所;
【分類號(hào)】：TN304.055

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7 本報(bào)記者 趙晨;國(guó)產(chǎn)MOCVD設(shè)備還有機(jī)會(huì)嗎？[N];中國(guó)電子報(bào);2013年

8 中科院蘇州納米所研究員 光達(dá)光電設(shè)備科技有限公司創(chuàng)始人 CTO 梁秉文;MOCVD未來(lái)十年必將大有作為[N];中國(guó)電子報(bào);2013年

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10 通訊員 龔靜 記者 戴麗昕;大型國(guó)產(chǎn)MOCVD設(shè)備成功發(fā)運(yùn)[N];上�？萍紙�(bào);2012年

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9 趙旺;MOCVD法制備氧化鋅發(fā)光器件及薄膜晶體管的研究[D];吉林大學(xué);2011年

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本文編號(hào)：2383718