【摘要】：為研究量子點發(fā)光器件結(jié)構(gòu)與性能的關(guān)系,制備了以CdSe/ZnS量子點作為發(fā)光層、poly-TPD作為空穴傳輸層,Alq_3作為電子傳輸層的量子點發(fā)光二極管,對器件結(jié)構(gòu)及性能參數(shù)進行了表征,結(jié)果顯示器件具有開啟電壓低、色純度高等特點。結(jié)合測試數(shù)據(jù),對量子點發(fā)光二極管進行了器件結(jié)構(gòu)建模,利用隧穿模型及空間電荷限制電流模型對實驗結(jié)果進行了分析,研究了器件中載流子的注入與傳輸機理。器件測試與仿真結(jié)果表明:各功能層厚度會影響載流子在量子點層的注入平衡,同時器件中載流子的注入與傳輸存在一轉(zhuǎn)變電壓,當(dāng)外加電壓低于轉(zhuǎn)變電壓時,器件中載流子的注入主要符合隧穿模型;當(dāng)外加電壓高于轉(zhuǎn)變電壓時,器件中載流子的注入主要符合空間電荷限制電流模型。研究結(jié)果驗證了器件結(jié)構(gòu)建模的合理性,可以利用仿真的方法進行器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化并確定相關(guān)參數(shù),這對器件性能的提高具有指導(dǎo)意義。
[Abstract]:In order to study the relationship between the structure and properties of quantum dot luminescent devices, a quantum dot light-emitting diode with CdSe/ZnS quantum dot as luminescent layer, poly-TPD as hole transport layer and Alq_3 as electron transport layer was prepared. The structure and performance parameters of the device are characterized. The results show that the device has the characteristics of low turn-on voltage and high color purity. Based on the measured data, the device structure of QDs is modeled. The experimental results are analyzed by tunneling model and space charge-limited current model, and the mechanism of carrier injection and transmission in the device is studied. The results of device test and simulation show that the thickness of each functional layer will affect the equilibrium of carrier injection in the quantum dot layer. At the same time, the carrier injection and transmission in the device have a transition voltage, when the applied voltage is lower than the transition voltage, The carrier injection in the device is mainly in accordance with the tunneling model. When the applied voltage is higher than the transition voltage, the carrier injection in the device mainly accords with the space charge-limited current model. The research results verify the rationality of the device structure modeling. The simulation method can be used to optimize the device structure and determine the relevant parameters, which has a guiding significance for the improvement of device performance.
【作者單位】： 北京信息科技大學(xué)自動化學(xué)院;北京交通大學(xué)電子信息工程學(xué)院;
【基金】：北京市自然基金項目(4122028) 北京市重點學(xué)科建設(shè)項目(PXM2014-014224-000018) 北京市研究生聯(lián)合培養(yǎng)基地建設(shè)項目(71C1411017)
【分類號】：TN312.8

【相似文獻】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 劉玉敏;俞重遠(yuǎn);楊紅波;黃永箴;;應(yīng)變自組織量子點的幾何形態(tài)對應(yīng)變場分布的影響[J];半導(dǎo)體學(xué)報;2005年12期

2 楊紅波;俞重遠(yuǎn);劉玉敏;;2×2自組織量子點陣列應(yīng)變場分布的有限元分析[J];北京郵電大學(xué)學(xué)報;2005年06期

3 吳峰;蔡繼業(yè);;基于量子點的熒光共振能量轉(zhuǎn)移的應(yīng)用[J];化學(xué)與生物工程;2007年01期

4 季雷華;高素蓮;張斌;;量子點的合成、毒理學(xué)及其應(yīng)用[J];環(huán)境化學(xué);2008年05期

5 王天琪;俞重遠(yuǎn);劉玉敏;蘆鵬飛;;有限元法分析不同形狀量子點的應(yīng)變能及弛豫度變化[J];物理學(xué)報;2009年08期

6 張文龍;陳莉華;;量子點在定量分析中的應(yīng)用研究綜述[J];吉首大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版);2009年04期

7 ;量子點研究有望改寫內(nèi)存歷史[J];激光與光電子學(xué)進展;2009年08期

8 韓晶;李鵬;張迪;;三端耦合多量子點體系的電輸運[J];黑龍江工程學(xué)院學(xué)報(自然科學(xué)版);2011年01期

9 王富;劉春艷;;發(fā)光碳量子點的合成及應(yīng)用[J];影像科學(xué)與光化學(xué);2011年04期

10 伊魁宇;王猛;邵明云;;量子點作為離子探針的分析應(yīng)用[J];廣州化工;2012年11期

相關(guān)會議論文 前10條

1 宋濤;逯超亮;宮曉群;楊秋花;李云紅;常津;;量子點熒光編碼微球的制備[A];天津市生物醫(yī)學(xué)工程學(xué)會第30次學(xué)術(shù)年會暨生物醫(yī)學(xué)工程前沿科學(xué)研討會論文集[C];2010年

2 楊久敏;宮曉群;張琦;宋濤;劉鐵根;李迎新;常津;;小波變換在量子點編碼識別中的應(yīng)用[A];天津市生物醫(yī)學(xué)工程學(xué)會第30次學(xué)術(shù)年會暨生物醫(yī)學(xué)工程前沿科學(xué)研討會論文集[C];2010年

3 何治柯;;小粒經(jīng)近紅外低毒水溶性量子點的合成及應(yīng)用研究[A];中國化學(xué)會第十屆全國發(fā)光分析學(xué)術(shù)研討會論文集[C];2011年

4 王金嬡;王琛;付國;劉力;王桂英;;量子點的三維取向探測[A];2006年全國強場激光物理會議論文集[C];2006年

5 原鳳英;蔣最敏;陸f ;;鍺硅雙層量子點耦合效應(yīng)的研究[A];第十六屆全國半導(dǎo)體物理學(xué)術(shù)會議論文摘要集[C];2007年

6 李曦;方婷婷;羅慧;王啟歲;劉鵬;胡善洲;;幾種不同粒徑的量子點對四膜蟲的作用研究[A];中國化學(xué)會成立80周年第十六屆全國化學(xué)熱力學(xué)和熱分析學(xué)術(shù)會議論文集[C];2012年

7 張建奇;張智明;;利用自組裝量子點系統(tǒng)制備W態(tài)[A];第十三屆全國量子光學(xué)學(xué)術(shù)報告會論文摘要集[C];2008年

8 古麗姍;王東升;彭勇剛;鄭雨軍;;單量子點在雙脈沖激發(fā)下偏振光子發(fā)射的統(tǒng)計特性[A];第十六屆全國原子與分子物理學(xué)術(shù)會議論文摘要集[C];2011年

9 胡若欣;晉衛(wèi)軍;;合成成條件和殼層厚度對核殼量子點熒光性質(zhì)的影響[A];第八屆全國光生物學(xué)學(xué)術(shù)會議論文摘要集[C];2013年

10 龐代文;謝海燕;張志凌;;半導(dǎo)體熒光量子點標(biāo)記技術(shù)[A];第五屆全國化學(xué)生物學(xué)學(xué)術(shù)會議論文摘要集[C];2007年

相關(guān)重要報紙文章 前5條

1 卞晨光 陳丹;成功連接量子點 精確探測電子態(tài)[N];科技日報;2001年

2 ;新發(fā)光體研制有突破[N];計算機世界;2003年

3 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，半導(dǎo)體材料科學(xué)重點實驗室 王占國;納米半導(dǎo)體材料的評價技術(shù)[N];中國高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)導(dǎo)報;2002年

4 記者 劉霞;量子點與經(jīng)典數(shù)據(jù)流可在光纖內(nèi)同行[N];科技日報;2011年

5 劉霞;美首次制造出不使用半導(dǎo)體的晶體管[N];科技日報;2013年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前10條

1 王立民;量子點分子及量子點團簇的電子結(jié)構(gòu)[D];北京師范大學(xué);2002年

2 王解兵;Ⅱ-Ⅵ族油溶性量子點的制備、修飾及應(yīng)用研究[D];上海交通大學(xué);2013年

3 周宏明;核殼型量子點的能帶結(jié)構(gòu)及其光學(xué)非線性[D];武漢大學(xué);2013年

4 潘佳奇;半導(dǎo)體ZnSe量子點和碳量子點的制備及其應(yīng)用[D];蘭州大學(xué);2015年

5 胡思怡;基于微流控技術(shù)的功能型量子點的合成及應(yīng)用[D];長春理工大學(xué);2015年

6 彭益煒;量子點—腔系統(tǒng)的量子態(tài)調(diào)控與發(fā)光性質(zhì)[D];北京郵電大學(xué);2015年

7 鄒維科;在光場作用下量子點系統(tǒng)中的散粒噪聲[D];北京理工大學(xué);2015年

8 閆龍;膠體硒化鉛量子點發(fā)光二極管的研制及其應(yīng)用[D];吉林大學(xué);2016年

9 黎瑞鋒;半導(dǎo)體膠體量子點異質(zhì)結(jié)與雙光子吸收的研究[D];浙江大學(xué);2016年

10 王s，

本文編號：2372287