【摘要】：針對氫基硅倍半氧烷(hydrogen silsesquioxane,HSQ)作為深反應(yīng)離子刻蝕(DRIE)掩膜形成大高寬比納米硅立柱的工藝進(jìn)行了系統(tǒng)研究。優(yōu)化了刻蝕工藝中線圈功率、極板功率和氣體流量參數(shù),減小了橫向刻蝕,使形貌垂直性得到了更好的控制,并實現(xiàn)了13.3μm高度和低側(cè)壁粗糙度的垂直硅納米柱陣列,其高寬比(高度/半高寬)達(dá)到了36。利用不同的刻蝕工藝條件得到了不同側(cè)壁形貌以及不同尺寸、高度的硅納米柱結(jié)構(gòu)。
[Abstract]:In this paper, the process of preparing nanocrystalline silicon column with high aspect ratio by deep reactive ion etching of (DRIE) mask by hydrogen-based silane (hydrogen silsesquioxane,HSQ) was studied systematically. The parameters of coil power, plate power and gas flow are optimized, the transverse etching is reduced, the vertical morphology is controlled better, and the vertical silicon nanocolumn array with 13.3 渭 m height and low sidewall roughness is realized. The aspect ratio (height / half maximum width) is 36. 6%. Different side wall morphology and different size and height silicon nanocolumn structures were obtained by different etching process conditions.
【作者單位】： 復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院專用集成電路與系統(tǒng)國家重點實驗室;中國科學(xué)院上海應(yīng)用物理研究所;中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所;
【基金】：國家自然科學(xué)基金項目(61574043) 上海STCSM項目(15JC1401000) 中國科學(xué)院開放項目(2015KF003)
【分類號】：TN305.7

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本文編號：2370159