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BDI型紅外焦平面讀出電路的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

發(fā)布時(shí)間:2018-12-07 19:09
【摘要】:紅外焦平面陣列作為紅外成像系統(tǒng)的關(guān)鍵器件,已經(jīng)被廣泛運(yùn)用于多種探測領(lǐng)域。紅外焦平面陣列主要由紅外探測器陣列及讀出電路組成,讀出電路是連接紅外探測器陣列和信號處理系統(tǒng)的主要樞紐,其性能好壞直接影響紅外成像系統(tǒng)的應(yīng)用,高性能的讀出電路是紅外成像質(zhì)量的關(guān)鍵所在。本論文主要設(shè)計(jì)了一款BDI型紅外讀出電路芯片,首先對紅外讀出電路涉及的關(guān)鍵參數(shù)進(jìn)行了重點(diǎn)分析,研究了幾種不同的像素單元結(jié)構(gòu)的注入效率、動態(tài)范圍以及線性度的影響因素。由于在版圖面積及探測器偏置電壓方面的限制,傳統(tǒng)的像素單元結(jié)構(gòu)不能直接用于本文的電路架構(gòu)中,因此,本文對傳統(tǒng)的像素單元電路結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn),去掉了傳統(tǒng)電路結(jié)構(gòu)中的采樣電容,并加入開關(guān)控制管,從而更加有效地控制紅外探測器的偏置電壓。在此基礎(chǔ)上,對讀出電路的列處理單元及輸出緩沖器等模塊電路進(jìn)行了詳細(xì)設(shè)計(jì),兩者均采用帶米勒補(bǔ)償?shù)膬杉夁\(yùn)放作為電路的基本結(jié)構(gòu)單元,以實(shí)現(xiàn)更大的輸出擺幅及更高的電壓傳輸精度。最后基于CSMC 0.5μm CMOS工藝進(jìn)行了版圖設(shè)計(jì)和流片實(shí)驗(yàn)。測試結(jié)果表明:所設(shè)計(jì)芯片電荷容量為80.53Me,動態(tài)范圍為84.61dB,線性度為98%,功耗為56mmW,輸出擺幅為3.4V,基本滿足設(shè)計(jì)要求。
[Abstract]:As the key device of infrared imaging system, infrared focal plane array (IRFPA) has been widely used in many detection fields. The infrared focal plane array is mainly composed of the infrared detector array and the readout circuit. The readout circuit is the main hub connecting the infrared detector array and the signal processing system, and its performance directly affects the application of the infrared imaging system. High performance readout circuit is the key to infrared imaging quality. In this paper, a BDI type infrared readout circuit chip is designed. Firstly, the key parameters of the infrared readout circuit are analyzed, and the injection efficiency of several different pixel cell structures is studied. The influence factors of dynamic range and linearity. Because of the limitation of layout area and detector bias voltage, the traditional pixel cell structure can not be directly used in the circuit architecture of this paper, therefore, the traditional pixel cell circuit structure is improved in this paper. The sampling capacitance in the traditional circuit structure is removed and the switch control tube is added to control the bias voltage of the infrared detector more effectively. On this basis, the column processing unit and output buffer module circuit of readout circuit are designed in detail. Both of them adopt two-stage operational amplifier with Hans Muller compensation as the basic structure unit of the circuit. In order to achieve greater output swing and higher voltage transmission accuracy. Finally, layout design and flow sheet experiment are carried out based on CSMC 0.5 渭 m CMOS process. The test results show that the designed chip has a charge capacity of 80.53 Me, a dynamic range of 84.61 dB, a linearity of 98 and a power consumption of 56mmW, and an output swing of 3.4 V, which basically meets the design requirements.
【學(xué)位授予單位】:東南大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類號】:TN215

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本文編號:2367686

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