發(fā)布時間：2018-11-28 09:58

【摘要】：針對NEA GaN光電陰極結(jié)構設計和制備工藝需進一步優(yōu)化的問題,結(jié)合陰極量子效率表達式和影響量子效率的因素,采用理論和實驗相結(jié)合的方法,分別研究了GaN光電陰極材料的表面反射率、光學折射率、光譜吸收系數(shù)以及透射光譜等光學參數(shù)。結(jié)果表明在250 nm到365 nm的波長范圍內(nèi),表面反射率相對平穩(wěn),是影響量子效率的直接因素,而光學折射率則通過電子表面逸出幾率間接影響著量子效率。給出了均勻摻雜GaN光電陰極的光譜吸收系數(shù)的特點,根據(jù)變摻雜NEA GaN光電陰極的結(jié)構特點,給出了光譜平均吸收系數(shù)的概念和等價計算公式,并對均勻摻雜與變摻雜NEA GaN光電陰極光譜吸收系數(shù)進行了對比。
[Abstract]:Aiming at the problem that the structure design and fabrication process of NEA GaN photocathode need to be further optimized, combining the expression of quantum efficiency of cathode and the factors affecting quantum efficiency, the method of combining theory with experiment is adopted. The surface reflectivity, optical refractive index, spectral absorption coefficient and transmission spectrum of GaN photocathode materials were studied. The results show that in the wavelength range of 250 nm to 365 nm, the surface reflectivity is relatively stable, which is the direct factor affecting the quantum efficiency, while the optical refractive index indirectly affects the quantum efficiency through the probability of electron surface escape. The characteristics of spectral absorption coefficient of uniformly doped GaN photocathode are given. According to the structural characteristics of variable-doped NEA GaN photocathode, the concept of spectral average absorption coefficient and equivalent calculation formula are given. The spectral absorption coefficients of uniformly doped and variable doped NEA GaN photocathodes are compared.
【作者單位】： 南陽理工學院電子與電氣工程學院;南京理工大學電子工程與光電技術學院;
【基金】：國家自然科學基金(批準號:61371058)資助的課題
【分類號】：TN304.2

【參考文獻】

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【共引文獻】

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【二級參考文獻】

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本文編號：2362517