【摘要】：針對NEA GaN光電陰極結(jié)構(gòu)設(shè)計和制備工藝需進(jìn)一步優(yōu)化的問題,結(jié)合陰極量子效率表達(dá)式和影響量子效率的因素,采用理論和實驗相結(jié)合的方法,分別研究了GaN光電陰極材料的表面反射率、光學(xué)折射率、光譜吸收系數(shù)以及透射光譜等光學(xué)參數(shù)。結(jié)果表明在250 nm到365 nm的波長范圍內(nèi),表面反射率相對平穩(wěn),是影響量子效率的直接因素,而光學(xué)折射率則通過電子表面逸出幾率間接影響著量子效率。給出了均勻摻雜GaN光電陰極的光譜吸收系數(shù)的特點,根據(jù)變摻雜NEA GaN光電陰極的結(jié)構(gòu)特點,給出了光譜平均吸收系數(shù)的概念和等價計算公式,并對均勻摻雜與變摻雜NEA GaN光電陰極光譜吸收系數(shù)進(jìn)行了對比。
[Abstract]:Aiming at the problem that the structure design and fabrication process of NEA GaN photocathode need to be further optimized, combining the expression of quantum efficiency of cathode and the factors affecting quantum efficiency, the method of combining theory with experiment is adopted. The surface reflectivity, optical refractive index, spectral absorption coefficient and transmission spectrum of GaN photocathode materials were studied. The results show that in the wavelength range of 250 nm to 365 nm, the surface reflectivity is relatively stable, which is the direct factor affecting the quantum efficiency, while the optical refractive index indirectly affects the quantum efficiency through the probability of electron surface escape. The characteristics of spectral absorption coefficient of uniformly doped GaN photocathode are given. According to the structural characteristics of variable-doped NEA GaN photocathode, the concept of spectral average absorption coefficient and equivalent calculation formula are given. The spectral absorption coefficients of uniformly doped and variable doped NEA GaN photocathodes are compared.
【作者單位】： 南陽理工學(xué)院電子與電氣工程學(xué)院;南京理工大學(xué)電子工程與光電技術(shù)學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號:61371058)資助的課題
【分類號】：TN304.2

【參考文獻(xiàn)】

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1 郝廣輝;常本康;陳鑫龍;王曉暉;趙靜;徐源;金睦淳;;近紫外波段NEA GaN陰極響應(yīng)特性的研究[J];物理學(xué)報;2013年09期

2 王曉暉;石峰;郭暉;胡倉陸;程宏昌;常本康;任玲;杜玉杰;張俊舉;;The optimal thickness of a transmission-mode GaN photocathode[J];Chinese Physics B;2012年08期

3 高頻;張益軍;王曉暉;黃懷琪;;Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體NEA光電陰極智能激活測試系統(tǒng)設(shè)計及應(yīng)用研究[J];紅外技術(shù);2011年12期

4 王曉暉;常本康;張益軍;侯瑞麗;熊雅娟;;GaN光電陰極激活后的光譜響應(yīng)分析[J];光譜學(xué)與光譜分析;2011年10期

5 李飆;常本康;徐源;杜曉晴;杜玉杰;付小倩;王曉暉;張俊舉;;均勻摻雜和梯度摻雜結(jié)構(gòu)GaN光電陰極性能對比研究[J];光譜學(xué)與光譜分析;2011年08期

6 杜曉晴;田健;周強富;;利用紫外透射光譜研究透射式GaN光電陰極的材料結(jié)構(gòu)及光學(xué)特性[J];光譜學(xué)與光譜分析;2011年06期

7 喬建良;常本康;杜曉晴;牛軍;鄒繼軍;;反射式負(fù)電子親和勢GaN光電陰極量子效率衰減機理研究[J];物理學(xué)報;2010年04期

8 杜曉晴;;利用反射與透射光譜測量GaN外延層的光學(xué)參數(shù)[J];光學(xué)與光電技術(shù);2010年01期

9 喬建良;常本康;楊智;高有堂;田思;;NEA GaN光電陰極量子產(chǎn)額研究[J];光學(xué)技術(shù);2008年03期

10 劉一兵;黃新民;劉安寧;肖宏志;;基于GaN材料p型摻雜的研究進(jìn)展[J];紅外技術(shù);2008年03期

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1 孫曉娟;GaN紫外探測器材料的MOCVD生長及器件研究[D];中國科學(xué)院研究生院（長春光學(xué)精密機械與物理研究所）;2012年

2 牛軍;變摻雜GaAs光電陰極特性及評估研究[D];南京理工大學(xué);2011年

【共引文獻(xiàn)】

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2 喬建良;徐源;高有堂;牛軍;常本康;;反射式變摻雜負(fù)電子親和勢GaN光電陰極量子效率研究[J];物理學(xué)報;2017年06期

3 李飆;常本康;陳文聰;;梯度摻雜GaN光電陰極的光譜響應(yīng)測試與分析[J];量子電子學(xué)報;2017年01期

4 李飆;任藝;常本康;陳文聰;;負(fù)電子親和勢GaN陰極光電發(fā)射機理研究[J];材料導(dǎo)報;2016年08期

5 喬建良;徐源;高有堂;牛軍;常本康;;負(fù)電子親和勢GaN光電陰極銫吸附機理研究[J];光子學(xué)報;2016年04期

6 任彬;石峰;郭暉;江兆潭;程宏昌;焦崗成;苗壯;馮劉;;NEA GaN光電陰極第一性原理研究[J];紅外與激光工程;2015年09期

7 孫孿鴻;徐家躍;鄒軍;王鳳超;;非極性GaN薄膜與器件的研究進(jìn)展[J];硅酸鹽通報;2014年10期

8 楊永富;富容國;馬力;王曉暉;張益軍;;反射式GaN光電陰極表面勢壘對量子效率衰減的影響[J];物理學(xué)報;2012年12期

9 楊永富;富容國;張益軍;王曉暉;鄒繼軍;;GaN光電陰極表面勢壘對電子逸出幾率的影響[J];物理學(xué)報;2012年06期

10 喬建良;常本康;錢蕓生;王曉暉;李飆;徐源;;GaN真空面電子源光電發(fā)射機理研究[J];物理學(xué)報;2011年12期

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3 蔡志鵬;用于雙微帶陰極選通型分幅相機的改進(jìn)型第三代像增強器研究[D];中國科學(xué)院研究生院（西安光學(xué)精密機械研究所）;2013年

4 王曉暉;纖鋅礦結(jié)構(gòu)GaN（0001）面的光電發(fā)射性能研究[D];南京理工大學(xué);2013年

5 趙靜;透射式GaAs光電陰極的光學(xué)與光電發(fā)射性能研究[D];南京理工大學(xué);2013年

【二級參考文獻(xiàn)】

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3 李飆;常本康;徐源;杜曉晴;杜玉杰;王曉暉;張俊舉;;GaN光電陰極的研究及其發(fā)展[J];物理學(xué)報;2011年08期

4 郭向陽;常本康;王曉暉;張益軍;楊銘;;反射式負(fù)電子親和勢GaN光電陰極的光電發(fā)射及穩(wěn)定性研究[J];物理學(xué)報;2011年05期

5 付小倩;常本康;李飆;王曉暉;喬建良;;負(fù)電子親和勢GaN光電陰極的研究進(jìn)展[J];物理學(xué)報;2011年03期

6 喬建良;常本康;錢蕓生;杜曉晴;王曉暉;郭向陽;;反射式NEA GaN光電陰極量子效率恢復(fù)研究[J];物理學(xué)報;2011年01期

7 楊智;鄒繼軍;常本康;;透射式指數(shù)摻雜GaAs光電陰極最佳厚度研究[J];物理學(xué)報;2010年06期

8 杜曉晴;常本康;錢蕓生;喬建良;田健;;GaN紫外光陰極材料的高低溫兩步制備實驗研究[J];光學(xué)學(xué)報;2010年06期

9 喬建良;常本康;錢蕓生;杜曉晴;張益軍;高頻;王曉暉;郭向陽;牛軍;高有堂;;負(fù)電子親和勢GaN光電陰極光譜響應(yīng)特性研究[J];物理學(xué)報;2010年05期

10 杜曉晴;常本康;錢蕓生;富容國;高頻;喬建良;;GaN負(fù)電子親和勢光電陰極的激活工藝[J];中國激光;2010年02期

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2 李曉峰;第三代像增強器研究[D];中國科學(xué)院西安光學(xué)精密機械研究所;2001年

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1 ;高效率銦砷磷光電陰極[J];激光與光電子學(xué)進(jìn)展;1971年07期

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3 高景華;厚三堿光電陰極的制備[J];光學(xué)技術(shù);1981年04期

4 X. Hou;W. SIBBETT;B. WEEKLEY;潘少凱;;鈀—銀—氧—銫光電陰極[J];紅外技術(shù);1983年02期

5 P.Dolizy;毛靈光;;研究堿金屬銻光電陰極的光學(xué)方法[J];光電子學(xué)技術(shù);1984年04期

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8 劉力濱;高魯山;;光電陰極的研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢[J];應(yīng)用光學(xué);1988年02期

9 牛憨笨,王云程,楊勤勞,張濟康;一種光電陰極導(dǎo)電基底[J];物理;1990年11期

10 佘永正;朱煥文;;高效能光電陰極[J];物理通報;1964年06期

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2 陳懷林;常本康;張俊舉;杜曉晴;;高溫激活的變摻雜GaAs光電陰極研究[A];第二屆紅外成像系統(tǒng)仿真測試與評價技術(shù)研討會論文集[C];2008年

3 陳平;劉敏;周榮楣;;Cs_2Te光電陰極的研制及其結(jié)構(gòu)特性的探討[A];中國電子學(xué)會真空電子學(xué)分會第十一屆學(xué)術(shù)年會論文集[C];1997年

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5 牛軍;變摻雜GaAs光電陰極特性及評估研究[D];南京理工大學(xué);2011年

6 楊智;GaAs光電陰極智能激活與結(jié)構(gòu)設(shè)計研究[D];南京理工大學(xué);2010年

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4 杜玉杰;NEA光電陰極激活及性能測試技術(shù)研究[D];南京理工大學(xué);2004年

5 楊銘;NEA GaN光電陰極制備以及激活方法研究[D];南京理工大學(xué);2010年

6 楊春花;GaAs光電陰極缺陷特性研究[D];南京理工大學(xué);2012年

7 孫巧霞;快響應(yīng)InP/InGaAs/InP紅外光電陰極的研究[D];中國科學(xué)院研究生院（西安光學(xué)精密機械研究所）;2014年

8 葉鈞;GaAs光電陰極激活工藝的自動控制研究[D];南京理工大學(xué);2009年

9 李輝;GaAs光電陰極材料光電壓譜測試技術(shù)研究[D];南京理工大學(xué);2008年

10 田健;GaN紫外光電陰極的材料結(jié)構(gòu)設(shè)計和制備工藝研究[D];重慶大學(xué);2011年

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本文編號：2362517