【摘要】：以往提出的半導(dǎo)體薄膜晶體管的節(jié)能設(shè)計方法,受到半導(dǎo)體薄膜晶體管不易受控缺陷的影響,節(jié)能效果不佳,故提出一種性能更為優(yōu)異的半導(dǎo)體薄膜晶體管的節(jié)能設(shè)計方法。概述了半導(dǎo)體薄膜晶體管中電源回路和驅(qū)動電路的節(jié)能設(shè)計原理,并給出終端設(shè)備架構(gòu)設(shè)計方案。使用電源回路控制半導(dǎo)體薄膜晶體管供電頻率,實現(xiàn)基本節(jié)能。利用驅(qū)動電路進(jìn)一步調(diào)節(jié)電能損耗、管理電源回路的電流諧波,改善半導(dǎo)體薄膜晶體管的開關(guān)性能。并以構(gòu)建模型的方式對電路噪音進(jìn)行消除,優(yōu)化儲能水平。經(jīng)實驗驗證可得,所提方法下的半導(dǎo)體薄膜晶體管擁有優(yōu)良的開關(guān)性能和儲能水平,并且節(jié)能效果較好。
[Abstract]:The energy saving design method of semiconductor thin film transistors has been put forward in the past, which is influenced by the defect of semiconductor thin film transistors, and the energy saving effect is not good. Therefore, an energy saving design method of semiconductor thin film transistors with better performance is proposed. The energy saving design principle of power supply circuit and drive circuit in semiconductor thin film transistor is summarized, and the design scheme of terminal equipment architecture is given. The power supply circuit is used to control the power supply frequency of semiconductor thin film transistor to achieve basic energy saving. The drive circuit is used to further regulate the power loss, to manage the current harmonics of the power supply loop, and to improve the switching performance of the semiconductor thin film transistor. The noise of the circuit is eliminated and the energy storage level is optimized by constructing the model. The experimental results show that the semiconductor thin film transistor has good switching performance and energy storage level, and the energy saving effect is good.
【作者單位】： 汕尾職業(yè)技術(shù)學(xué)院;華南理工大學(xué)電子與信息學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(61274085)
【分類號】：TN321.5

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