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微通道板防離子反饋膜閾值電壓特性研究

發(fā)布時(shí)間:2018-11-23 09:00
【摘要】:微通道板(Microchannel-plate,MCP)防離子反饋膜是負(fù)電子親和勢(shì)光電陰極微光像增強(qiáng)器的特有標(biāo)志,其主要作用是有效阻止反饋正離子轟擊陰極以提高器件工作壽命。微通道板防離子反饋膜的厚度決定了其對(duì)電子透過(guò)、離子阻擋能力的大小,電子透過(guò)能力直接影響圖像的對(duì)比度和信噪比。根據(jù)微通道板防離子反饋膜閾值電壓定義和測(cè)試原理,對(duì)微通道板不同厚度防離子反饋膜、不同工作電壓條件下的閾值電壓特性進(jìn)行了測(cè)試研究。結(jié)果表明:防離子反饋膜的閾值電壓隨著膜層厚度的增加而增加,兩者之間遵循正比的線性關(guān)系:Y=3.98 X+50;在微通道板線性工作電壓范圍內(nèi),防離子反饋膜的閾值電壓隨微通道板工作電壓的增加而降低,兩者之間遵循反比關(guān)系。該研究對(duì)提高微通道板在負(fù)電子親和勢(shì)光電陰極微光像增強(qiáng)器中的使用性能具有重要意義。
[Abstract]:Microchannel plate (Microchannel-plate,MCP) antiion feedback film is a special sign of negative electron affinity photocathode low light image intensifier. Its main function is to prevent feedback positive ion from bombarding the cathode to improve the working life of the device. The thickness of the antiion feedback film of the microchannel plate determines the electron transmission, the ion barrier ability and the electron transmission ability which directly affect the contrast and signal-to-noise ratio (SNR) of the image. According to the definition and testing principle of the threshold voltage of the microchannel plate antiion feedback membrane, the threshold voltage characteristics of the microchannel plate with different thickness and different working voltage are tested and studied. The results show that the threshold voltage of the anti-ion feedback membrane increases with the increase of the thickness of the film, and the linear relationship between the two is linear: YC 3.98 X 50; In the linear working voltage range of the microchannel plate, the threshold voltage of the anti-ion feedback membrane decreases with the increase of the working voltage of the microchannel plate, and the relationship between the two is inversely proportional. This study is of great significance to improve the performance of the microchannel plate in the negative electron affinity photocathode low light image intensifier.
【作者單位】: 微光夜視技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;北方夜視科技集團(tuán)股份有限公司;
【基金】:國(guó)防預(yù)研基金
【分類(lèi)號(hào)】:TN144

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8 劉勇;閾值電壓的圖象解釋[J];韶關(guān)大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);1996年04期

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6 唐俊雄;唐明華;楊鋒;張俊杰;周益春;鄭學(xué)軍;;部分耗盡SOI MOSFETs中翹曲效應(yīng)的溫度模型(英文)[A];第六屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集(2)[C];2007年

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本文編號(hào):2350988

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