【摘要】：為了減小場發(fā)射的屏蔽效應,采用圖形化技術對氧化鋅(ZnO)納米枝陣列進行調控,并研究圖形化ZnO枝陣列的性能。首先采用光刻法在ITO導電玻璃上制備圖形化ZnO種子層,再用電沉積法在圖形化種子層上生長ZnO納米枝陣列。利用掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射(XRD)研究所制備的圖形化ZnO陣列形貌、結構等,并測試其場發(fā)射性能。研究結果表明,制備的圖形化ZnO納米枝是圓陣列,直徑為330μm左右,納米ZnO主干平均直徑為400~500nm,發(fā)現(xiàn)主干上有一些精細的類似錐狀的納米量級微細枝結構,并且具有良好的場發(fā)射性能,開啟場強為2.15V/μm,場增強因子為16 109。該圖形化生長ZnO陣列陰極的方法是一種能較好改善材料場發(fā)射性能的方法,在場發(fā)射應用領域表現(xiàn)出較好的前景。
[Abstract]:In order to reduce the shielding effect of field emission, a graphical technique was used to regulate the ZnO (ZnO) nanowire array and the performance of the graphical ZnO branch array was studied. Firstly, the graphed ZnO seed layer was prepared on ITO conductive glass by photolithography, and then the ZnO nano-branch array was grown on the graphed seed layer by electrodeposition. The morphologies, structures and field emission properties of graphical ZnO arrays prepared by scanning electron microscope (SEM) (SEM), X ray diffraction (XRD) were investigated. The results show that the patterned ZnO nanowires are circular arrays with a diameter of about 330 渭 m and an average diameter of 400 ~ 500nm. some fine cone-like nanocrystalline branchlets are found on the backbone. The field intensity is 2.15V/ 渭 m and the field enhancement factor is 16 109. The method of graphically growing ZnO array cathodes is a good method to improve the field emission performance of materials, and the field emission application field shows a good prospect.
【作者單位】： 福州大學物理與信息工程學院;
【基金】：福建省自然科學基金(No.2014J01236) 福建省科技重大專項(No.2014HZ0003-1) 福建省資助省屬高校專項課題(No.JK2014003)~~
【分類號】：TN304.21

【相似文獻】

相關期刊論文 前10條

1 趙立新;彭鴻雁;陳玉強;陳寶玲;徐閏;黃健;王林軍;夏義本;王惟彪;;大功率準分子激光制備類金剛石膜及場發(fā)射性能[J];液晶與顯示;2008年05期

2 莊大明,黃蕙芬,陳國平,張浩康;氫氣對含金剛石碳薄膜場發(fā)射性能的影響[J];電子器件;1998年02期

3 鄒強;張之圣;李海燕;胡明;秦玉香;;碳納米管場發(fā)射性能的研究進展[J];人工晶體學報;2006年03期

4 李松玲;王如志;趙維;王波;嚴輝;;反應濺射法制備氮化鋁薄膜及工作氣壓對其場發(fā)射性能的影響[J];液晶與顯示;2010年06期

5 王曉明;謝二慶;葉凡;段輝高;周明;;氮氧化鉿薄膜在不同襯底上的場發(fā)射性能[J];功能材料與器件學報;2008年04期

6 李新義;祁康成;董建康;羅德均;王小菊;;鉬硅化物改善刀口型硅尖場發(fā)射性能研究[J];電子器件;2008年04期

7 周江云,李瓊,徐靜芳,茅東升,柳襄懷;SP~2鍵含量對非晶金剛石膜電子場發(fā)射性能的影響[J];華東師范大學學報(自然科學版);2000年02期

8 李軍;王如志;王波;嚴輝;;襯底溫度對氧化鋅薄膜場發(fā)射性能的影響[J];液晶與顯示;2008年04期

9 王金嬋;劉博;宋璐;張立文;;CH_4對氧化鋅場發(fā)射性能的影響[J];河南科技大學學報(自然科學版);2013年03期

10 張繼華,馮濤,于偉東,王曦,柳襄懷;粒子轟擊對碳納米管微結構和場發(fā)射性能的影響[J];液晶與顯示;2004年03期

相關會議論文 前3條

1 胡添勇;曾愈鞏;謝紫開;張繼君;陳澤祥;;一種碳管與石墨烯復合結構的制備和場發(fā)射性能研究[A];中國電子學會真空電子學分會第十九屆學術年會論文集（下冊）[C];2013年

2 陳程程;王如志;王波;嚴輝;;退火時間對SiC基GaN納米薄膜場發(fā)射性能的影響[A];中國電子學會真空電子學分會第十九屆學術年會論文集（下冊）[C];2013年

3 劉衛(wèi)東;鄭修麟;劉云鵬;羅恩澤;;陰極材料對真空微電子器件場發(fā)射性能的影響[A];中國電子學會真空電子學分會第十屆年會論文集（下冊）[C];1995年

相關碩士學位論文 前2條

1 郝敏;多晶六硼化鑭場發(fā)射性能研究[D];電子科技大學;2015年

2 徐豐;半導體氧化物納米結構的合成、光學及場發(fā)射性能研究[D];華東師范大學;2007年

，

本文編號：2349142