【摘要】：為了減小場發(fā)射的屏蔽效應(yīng),采用圖形化技術(shù)對(duì)氧化鋅(ZnO)納米枝陣列進(jìn)行調(diào)控,并研究圖形化ZnO枝陣列的性能。首先采用光刻法在ITO導(dǎo)電玻璃上制備圖形化ZnO種子層,再用電沉積法在圖形化種子層上生長ZnO納米枝陣列。利用掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射(XRD)研究所制備的圖形化ZnO陣列形貌、結(jié)構(gòu)等,并測試其場發(fā)射性能。研究結(jié)果表明,制備的圖形化ZnO納米枝是圓陣列,直徑為330μm左右,納米ZnO主干平均直徑為400~500nm,發(fā)現(xiàn)主干上有一些精細(xì)的類似錐狀的納米量級(jí)微細(xì)枝結(jié)構(gòu),并且具有良好的場發(fā)射性能,開啟場強(qiáng)為2.15V/μm,場增強(qiáng)因子為16 109。該圖形化生長ZnO陣列陰極的方法是一種能較好改善材料場發(fā)射性能的方法,在場發(fā)射應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)出較好的前景。
[Abstract]:In order to reduce the shielding effect of field emission, a graphical technique was used to regulate the ZnO (ZnO) nanowire array and the performance of the graphical ZnO branch array was studied. Firstly, the graphed ZnO seed layer was prepared on ITO conductive glass by photolithography, and then the ZnO nano-branch array was grown on the graphed seed layer by electrodeposition. The morphologies, structures and field emission properties of graphical ZnO arrays prepared by scanning electron microscope (SEM) (SEM), X ray diffraction (XRD) were investigated. The results show that the patterned ZnO nanowires are circular arrays with a diameter of about 330 渭 m and an average diameter of 400 ~ 500nm. some fine cone-like nanocrystalline branchlets are found on the backbone. The field intensity is 2.15V/ 渭 m and the field enhancement factor is 16 109. The method of graphically growing ZnO array cathodes is a good method to improve the field emission performance of materials, and the field emission application field shows a good prospect.
【作者單位】： 福州大學(xué)物理與信息工程學(xué)院;
【基金】：福建省自然科學(xué)基金(No.2014J01236) 福建省科技重大專項(xiàng)(No.2014HZ0003-1) 福建省資助省屬高校專項(xiàng)課題(No.JK2014003)~~
【分類號(hào)】：TN304.21

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本文編號(hào)：2349142