【摘要】：基于四陽極結(jié)反向串聯(lián)型GaAs平面肖特基二極管,設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了0.2THz寬帶非平衡式二次倍頻電路。肖特基二極管倒裝焊接在75μm石英電路上。在小功率和大功率注入條件下,測試了倍頻電路的輸出功率和倍頻效率。輸入功率在10~15mW時,通過加載正向偏置電壓,在210~224GHz,倍頻效率大于3%,在212GHz處有最高點(diǎn)倍頻效率為7.8%。輸入功率在48~88mW時,在自偏壓條件下,210~224GHz帶內(nèi)倍頻效率大于3.6%,在214GHz處測得最大倍頻效率為5.7%。固定輸出頻率為212GHz,在132mW功率注入時,自偏壓輸出功率最大為5.7mW,加載反向偏置電壓為-0.8V時,輸出功率為7.5mW。
[Abstract]:Based on four-anode junction reverse series GaAs planar Schottky diode, a 0.2THz wideband unbalanced secondary frequency doubling circuit is designed and implemented. Schottky diode is inversely welded to 75 渭 m quartz circuit. Under the condition of low power and high power injection, the output power and frequency doubling efficiency of the frequency doubling circuit are tested. When the input power is at 10~15mW, by loading forward bias voltage, the frequency doubling efficiency is greater than 3 at 210g 224GHz, and the frequency doubling efficiency is 7.8 at the highest point of 212GHz. When the input power is at 48~88mW, under the condition of self-bias voltage, the frequency doubling efficiency in the 210~224GHz band is greater than 3.6, and the maximum frequency doubling efficiency measured at 214GHz is 5.7. The fixed output frequency is 212GHz. When 132mW power is injected, the maximum output power of self-bias voltage is 5.7 MW, and the output power is 7.5 MW when loading reverse bias voltage is -0.8 V.
【作者單位】： 專用集成電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所;
【分類號】：TN702;TN311.7

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【二級參考文獻(xiàn)】

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【相似文獻(xiàn)】

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