【摘要】：垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)以其低功耗、低閾值電流、高調(diào)制速率和易制作二維陣列器件等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于短距離光互連領(lǐng)域。濕法腐蝕和干法刻蝕作為高速VCSEL臺(tái)面結(jié)構(gòu)制備的兩種工藝,影響VCSEL氧化層的大小。文章研究了氧化層面積對(duì)寄生電容的影響,并計(jì)算得到7μm氧化孔徑下采用干法刻蝕工藝的垂直腔面發(fā)射激光器,相比較濕法腐蝕工藝,氧化層電容由902.23fF減小至581.32fF,諧振腔電容由320.72fF減小至206.65fF。通過對(duì)采用濕法腐蝕和干法刻蝕工藝制備的GaAs量子阱結(jié)構(gòu)高速VCSEL進(jìn)行小信號(hào)調(diào)制響應(yīng)測試,結(jié)果表明,7μm氧化孔徑下干法刻蝕VCSEL小信號(hào)調(diào)制帶寬提高至16.1GHz。
[Abstract]:Vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) is widely used in the field of short distance optical interconnection due to its low power consumption, low threshold current, high modulation rate and easy fabrication of two-dimensional array devices. Wet etching and dry etching are two kinds of processes for the preparation of high speed VCSEL Mesa structure, which affect the size of VCSEL oxide layer. The effect of oxidation layer area on parasitic capacitance is studied, and the vertical cavity surface emitting laser with 7 渭 m oxidation aperture is obtained. Compared with wet etching process, the oxide layer capacitance is reduced from 902.23fF to 581.32fF. The cavity capacitance is reduced from 320.72fF to 206.65fF. The small signal modulation response of high speed GaAs quantum well VCSEL prepared by wet etching and dry etching is measured. The results show that the small signal modulation bandwidth of dry etching VCSEL is increased to 16.1 GHz at 7 渭 m oxidation aperture.
【作者單位】： 北京郵電大學(xué)電子工程學(xué)院;北京工業(yè)大學(xué)信息學(xué)部;
【基金】：國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(61335004) 國家“863”計(jì)劃項(xiàng)目(2015AA017101)
【分類號(hào)】：TN248

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