【摘要】：介紹了一種博世(Bosch)工藝深槽刻蝕后的側(cè)壁平坦化技術(shù)。優(yōu)化深槽刻蝕工藝參數(shù)使側(cè)壁扇貝褶皺的尺寸降低至約52 nm,然后在1 100℃爐管中熱氧化生長100 nm犧牲氧化層,再用HF酸漂洗工藝去除犧牲氧化層得到完全光滑的側(cè)壁形貌。研究表明,扇貝褶皺的底部沿100晶向氧化,而頂部沿110晶向氧化的矢量疊加方向。當(dāng)熱氧生長厚度較薄時,氧化行為傾向于線性氧化,由于線性氧化的速率常數(shù)強(qiáng)烈依賴晶向取向,因此氧化一定時間后,頂部的氧化深度與底部的氧化深度達(dá)到一致�；谏鲜鲅趸瘷C(jī)制,Si/Si O2界面變得平滑陡直。
[Abstract]:This paper introduces a technique of flattening side wall after deep groove etching in Bosch (Bosch) process. By optimizing the deep groove etching process parameters, the size of sidewall scallop fold was reduced to about 52 nm, then 100 nm sacrificial oxidation layer was grown by thermal oxidation in 1 100 鈩，

本文編號：2327958