發(fā)布時間：2018-11-09 15:22

【摘要】：壓接型IGBT器件內(nèi)部各組件直接堆疊在一起,通過外部壓力使得各組件間保持良好的機(jī)械與電氣接觸,進(jìn)而引入一定比例的接觸電阻和接觸熱阻,所以器件內(nèi)部的壓力分布不僅影響器件內(nèi)部的電流分布和溫度分布,還將嚴(yán)重影響器件的可靠性�；趬航有虸GBT器件的有限元計(jì)算模型和特殊的應(yīng)用工況,研究壓接型IGBT器件內(nèi)部的壓力分布情況,重點(diǎn)探討器件內(nèi)部各組件加工誤差與內(nèi)部的布局方式對器件內(nèi)部壓力分布的影響。通過壓力夾具和壓力紙等進(jìn)行壓接型IGBT器件內(nèi)部壓力分布的實(shí)驗(yàn),實(shí)驗(yàn)結(jié)果不僅驗(yàn)證了有限元模型和邊界條件的正確性,還表明外部壓力加載對器件內(nèi)部壓力分布的影響。
[Abstract]:The internal components of the IGBT device are stacked directly together, and the mechanical and electrical contact between the components is maintained by external pressure, and a certain proportion of contact resistance and contact thermal resistance are introduced. Therefore, the pressure distribution not only affects the current distribution and temperature distribution, but also seriously affects the reliability of the device. Based on the finite element calculation model and special application conditions of IGBT devices, the pressure distribution inside the pressure-bonded IGBT devices is studied. The influence of machining error and internal layout on the internal pressure distribution of the device is discussed. The internal pressure distribution of IGBT devices is tested by pressure clamp and pressure paper. The experimental results not only verify the correctness of the finite element model and boundary conditions, but also show the influence of external pressure loading on the internal pressure distribution of IGBT devices.
【作者單位】： 新能源電力系統(tǒng)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(華北電力大學(xué));國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(51477048) 國家能源應(yīng)用技術(shù)研究及工程示范項(xiàng)目(NY20150705) 國家電網(wǎng)公司科技項(xiàng)目(5455GB160006)資助
【分類號】：TN322.8

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【二級參考文獻(xiàn)】

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【相似文獻(xiàn)】

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本文編號：2320796