【摘要】：基于130 nm CMOS工藝設計了一款特高頻(UHF)頻段的鎖相環(huán)型小數(shù)分頻頻率綜合器。電感電容式壓控振蕩器(LC VCO)片外調(diào)諧電感總值為2 n H時,其輸出頻率范圍為1.06~1.24 GHz,調(diào)節(jié)調(diào)諧電感拓寬了頻率輸出范圍,并利用開關電容陣列減小了壓控振蕩器的增益。使用電荷泵補償電流優(yōu)化了頻率綜合器的線性度與帶內(nèi)相位噪聲。此外對電荷泵進行適當改進,確保了環(huán)路的穩(wěn)定。測試結果表明,通過調(diào)節(jié)電荷泵補償電流,頻率綜合器的帶內(nèi)相位噪聲可優(yōu)化3 dB以上,中心頻率為1.12 GHz時,在1 k Hz頻偏處的帶內(nèi)相位噪聲和1 MHz頻偏處的帶外相位噪聲分別為-92.3和-120.9 dBc/Hz。最小頻率分辨率為3 Hz,功耗為19.2 mW。
[Abstract]:Based on 130 nm CMOS process, a phase locked loop fractional frequency synthesizer in UHF (UHF) band is designed. When the total tuning inductance of the inductance capacitive voltage-controlled oscillator (LC VCO) is 2nH, the output frequency range is 1.06n1.24 GHz, and the tuning inductance widens the output range. The gain of the VCO is reduced by using the switched capacitor array. The linearity and in-band phase noise of the frequency synthesizer are optimized by using charge pump compensation current. In addition, the charge pump is improved properly to ensure the stability of the loop. The results show that by adjusting the charge pump compensation current, the in-band phase noise of the frequency synthesizer can be optimized for more than 3 dB and the center frequency is 1.12 GHz. The in-band phase noise at 1 k Hz frequency offset and the out-of-band phase noise at 1 MHz frequency offset are -92.3 and-120.9 dBc/Hz., respectively. Minimum frequency resolution 3 Hz, power 19.2 mW.
【作者單位】： 中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所;中國科學院大學;
【分類號】：TN74

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本文編號：2301338