【摘要】：為了研究TSV封裝內(nèi)除差分對(duì)硅通孔外在硅基片的層間和層下存在的微凸點(diǎn)、平面互連線、倒裝焊球等互連結(jié)構(gòu)對(duì)差分信號(hào)傳輸特性的影響,提出了一種改進(jìn)型的適用于描述TSV封裝內(nèi)"串連型差分互連阻抗"的差分對(duì)硅通孔結(jié)構(gòu)的RLCG電路模型,進(jìn)而提出了一種采用"阻抗不連續(xù)系數(shù)"來(lái)描述串行連接的微凸點(diǎn)、平面互連線、倒裝焊球等結(jié)構(gòu)的"串連式阻抗不連續(xù)結(jié)構(gòu)"RLCG電路模型.在此基礎(chǔ)之上,采用HFSS三維全波仿真方法對(duì)TSV封裝中的硅通孔、微凸點(diǎn)、平面互連線、倒裝焊球等差分對(duì)互連結(jié)構(gòu)的各種串行連接方式進(jìn)行了三維電磁場(chǎng)建模和分析.將RLCG模型的差模正向傳輸系數(shù)與HFSS模型的分析結(jié)果進(jìn)行了對(duì)比,對(duì)比結(jié)果證明在0.1~30GHz特別是3~25GHz寬頻段內(nèi)本文提出的上述2種RLCG電路模型能夠較為準(zhǔn)確的描述出差分互連結(jié)構(gòu)的差模信號(hào)寬頻傳輸特性.
[Abstract]:In order to study the influence of interlayer and sublayer interconnect points, planar interconnects, reverse welded balls and other interconnect structures in TSV packaging on the differential signal transmission characteristics, the difference between the silicon substrate and the through hole outside the silicon substrate is studied. In this paper, an improved RLCG circuit model for describing the "serial differential interconnect impedance" in TSV package is proposed. Furthermore, a "impedance discontinuity coefficient" is proposed to describe the microconvex point of serial connection. The RLCG circuit model of "series impedance discontinuous structure" with planar interconnect, reverse bonding ball and so on. On the basis of this, the 3D electromagnetic field modeling and analysis of various serial connection modes of interconnect structure such as silicon through hole, micro-convex point, plane interconnection line and reverse assembly welding ball in TSV packaging are carried out by using HFSS three-dimensional full-wave simulation method. The difference mode forward transmission coefficient of RLCG model is compared with that of HFSS model. The comparison results show that the two kinds of RLCG circuit models proposed in this paper in 0.1~30GHz, especially in the 3~25GHz broadband band, can accurately describe the characteristics of the differential mode signal broadband transmission of the commutative interconnect structure.
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(61306135)
【分類號(hào)】：TN405

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本文編號(hào)：2298869