TSV封裝中阻抗不連續(xù)差分互連結(jié)構(gòu)寬頻寄生參數(shù)建模研究
[Abstract]:In order to study the influence of interlayer and sublayer interconnect points, planar interconnects, reverse welded balls and other interconnect structures in TSV packaging on the differential signal transmission characteristics, the difference between the silicon substrate and the through hole outside the silicon substrate is studied. In this paper, an improved RLCG circuit model for describing the "serial differential interconnect impedance" in TSV package is proposed. Furthermore, a "impedance discontinuity coefficient" is proposed to describe the microconvex point of serial connection. The RLCG circuit model of "series impedance discontinuous structure" with planar interconnect, reverse bonding ball and so on. On the basis of this, the 3D electromagnetic field modeling and analysis of various serial connection modes of interconnect structure such as silicon through hole, micro-convex point, plane interconnection line and reverse assembly welding ball in TSV packaging are carried out by using HFSS three-dimensional full-wave simulation method. The difference mode forward transmission coefficient of RLCG model is compared with that of HFSS model. The comparison results show that the two kinds of RLCG circuit models proposed in this paper in 0.1~30GHz, especially in the 3~25GHz broadband band, can accurately describe the characteristics of the differential mode signal broadband transmission of the commutative interconnect structure.
【作者單位】: 中國科學院微電子研究所;
【基金】:國家自然科學基金項目(61306135)
【分類號】:TN405
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,本文編號:2298869
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