【摘要】：基于碰撞離化理論研究設(shè)計了In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As電子倍增超晶格結(jié)構(gòu)雪崩光電二極管,使用MOCVD外延得到實驗片,經(jīng)過工藝流片后進行封裝測試。測試結(jié)果顯示,具有超晶格雪崩區(qū)的電子倍增型APD器件,其暗電流可以控制在納安級,光電流增益達到140,證明具有超晶格雪崩區(qū)的電子倍增型雪崩光電二極管具有很好的光電探測性能。
[Abstract]:Based on the collision ionization theory, an avalanche photodiode with In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As electron multiplication superlattice structure is designed. The experimental film is obtained by MOCVD epitaxy, and the package is tested after the process flow sheet. The test results show that the dark current of APD devices with superlattice avalanche region can be controlled at Nano level. The photocurrent gain is up to 140, which proves that the electron-multiplicative avalanche photodiode with superlattice avalanche region has good photodetection performance.
【作者單位】： 北京工業(yè)大學(xué)電子信息與控制工程學(xué)院光電子技術(shù)省部共建教育部重點實驗室;
【基金】：光電子技術(shù)教育部重點實驗室基金項目(PXM2017_014204_500034)
【分類號】：TN312.7

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本文編號：2285635