大功率半導(dǎo)體激光器有源區(qū)溫度影響因素分析
[Abstract]:In order to improve the heat dissipation performance of the high power semiconductor laser module, the temperature field of the laser module is numerically simulated, and the solder thermal conductivity and its thickness are analyzed. The effect of heat transfer coefficient and cold surface temperature of semiconductor cooler on the active region temperature and heat dissipation performance of the chip. The results show that the thickness of the solder is in the range of 2 ~ 24 渭 m, no high resistance layer is formed, and the heat dissipation property of the module is stable. When the thickness of the solder is greater than 24 渭 m, the temperature of the active region increases rapidly, and the temperature of the active region decreases exponentially with the increase of the heat sink thermal conductivity. When the coefficient of thermal conductivity is less than 1200 W / m K, the decrease of temperature is more significant, and the linear relation between the cold surface temperature of semiconductor cooler and the temperature of active region is 1.
【作者單位】: 江蘇科技大學(xué)先進(jìn)焊接技術(shù)省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;森薩塔科技有限公司;中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所發(fā)光學(xué)及應(yīng)用國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】:國(guó)家青年科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51501176) 吉林省青年科研基金資助項(xiàng)目(20140520127JH) 國(guó)家國(guó)際科技合作專項(xiàng)資助項(xiàng)目(2013DFR00730)
【分類號(hào)】:TN248.4
【相似文獻(xiàn)】
相關(guān)期刊論文 前10條
1 王同喜;關(guān)寶璐;郭霞;沈光地;;載流子輸運(yùn)和寄生參數(shù)對(duì)隧道再生雙有源區(qū)垂直腔面發(fā)射激光器調(diào)制特性的影響[J];物理學(xué)報(bào);2009年03期
2 李建軍;韓軍;鄧軍;崔碧峰;廉鵬;鄒德恕;沈光地;;隧道再生四有源區(qū)大功率半導(dǎo)體激光器[J];光學(xué)學(xué)報(bào);2006年12期
3 廉鵬,殷濤,高國(guó),鄒德恕,陳昌華,李建軍,沈光地,馬驍宇,陳良惠;新型多有源區(qū)隧道再生光耦合大功率半導(dǎo)體激光器[J];物理學(xué)報(bào);2000年12期
4 秦永偉;趙金茹;王春棟;李俊;;0.5μm有源區(qū)腐蝕工藝的正交優(yōu)化[J];電子與封裝;2010年09期
5 丁運(yùn)鴻;張新亮;張小貝;黃德修;;有源微型環(huán)腔諧振器的數(shù)值仿真[J];光學(xué)與光電技術(shù);2007年05期
6 何國(guó)榮;劉俊;;980nm激光器有源區(qū)的設(shè)計(jì)與分析[J];深圳信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院學(xué)報(bào);2009年04期
7 文國(guó)富;三極管反向有源區(qū)的討論[J];柳州師專學(xué)報(bào);1999年02期
8 陳宏泰;劉英斌;花吉珍;安振峰;;808nm無(wú)鋁有源區(qū)激光器研究[J];半導(dǎo)體光電;2008年04期
9 朱文軍,郭霞,廉鵬,鄒德恕,高國(guó),沈光地;多有源區(qū)垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器的特性分析[J];北京工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào);2003年01期
10 沈昌樂(lè);王雪敏;黎維華;閻大偉;趙妍;羅躍川;彭麗萍;吳衛(wèi)東;唐永建;;太赫茲QCL技術(shù)研究進(jìn)展[J];材料導(dǎo)報(bào);2013年19期
相關(guān)會(huì)議論文 前1條
1 張潔;王篤祥;杜偉華;曾雙龍;;GaN基LED產(chǎn)業(yè)化中的外延相關(guān)技術(shù)問(wèn)題[A];第十二屆全國(guó)LED產(chǎn)業(yè)研討與學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2010年
相關(guān)碩士學(xué)位論文 前5條
1 田海濤;隧道級(jí)聯(lián)多有源區(qū)大功率半導(dǎo)體激光器設(shè)計(jì)[D];河北工業(yè)大學(xué);2006年
2 袁浩然;半導(dǎo)體QCL的理論研究與有源區(qū)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)[D];哈爾濱師范大學(xué);2015年
3 譚小動(dòng);納米折疊有源區(qū)寬譜LED工藝研究[D];河北工業(yè)大學(xué);2011年
4 包玲;GaAs基大功率半導(dǎo)體激光器和高亮度發(fā)光二極管特性分析[D];河北工業(yè)大學(xué);2000年
5 王青;高功率980nm垂直腔面發(fā)射激光器的研制[D];中國(guó)科學(xué)院研究生院(長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所);2004年
,本文編號(hào):2284023
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/2284023.html