【摘要】：基于磁中性環(huán)路放電(NLD)等離子體刻蝕機(jī)的原理,研究了Ar和C_4F_8混合氣體氛圍下,射頻(RF)天線功率、偏置電源功率、氣壓和C4F8體積流量等工藝參數(shù)對NLD刻蝕石英的影響,最終獲取優(yōu)化的工藝參數(shù),用于高深寬比石英結(jié)構(gòu)的制備。結(jié)果表明,隨著RF天線功率的增加,石英刻蝕速率逐漸降低,偏壓不斷減小;增加偏置電源功率,刻蝕速率及偏壓持續(xù)增大,刻蝕比不斷增大;隨著反應(yīng)壓強(qiáng)的增加,偏壓變大,而刻蝕速率一直降低;C_4F_8體積流量增加,偏壓一直增大,石英刻蝕速率先是快速上升而后逐漸變小。在優(yōu)化的工藝參數(shù)下,刻蝕速率為439 nm/min,深寬比可以達(dá)到10∶1。
[Abstract]:Based on the principle of magnetic neutral loop discharge (NLD) plasma etch machine, the effects of RF (RF) antenna power, bias power, air pressure and C4F8 volume flow rate on NLD etched quartz in the mixed gas atmosphere of Ar and C_4F_8 are studied. Finally, the optimized process parameters were obtained for the preparation of quartz structure with high aspect ratio. The results show that with the increase of RF antenna power, the etching rate of quartz decreases gradually, the bias voltage decreases, the etching rate and bias voltage increase, and the etching ratio increases with the increase of the reactive pressure. The bias voltage increases and the etching rate decreases, while the C_4F_8 volume flow rate increases and the bias voltage increases. The etching rate of quartz increases rapidly and then decreases gradually. Under the optimized process parameters, the etching rate is 439 nm/min, and the aspect ratio can reach 10: 1.
【作者單位】： 上海大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所納米加工平臺;
【基金】：國家自然科學(xué)基金青年科學(xué)基金資助項(xiàng)目(11304356)
【分類號】：TN305.7

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前2條

1 眭佳星;張賽謙;劉增;閻軍;戴忠玲;;A Multi-Scale Study on Silicon-Oxide Etching Processes in C_4F_8/Ar Plasmas[J];Plasma Science and Technology;2016年06期

2 張偉;孫元平;劉彬;;SiC材料的NLD快速均勻刻蝕[J];微納電子技術(shù);2015年01期

【共引文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前2條

1 吳亞寧;張偉;王逸群;黃健;繆小虎;王進(jìn);金曉盛;;高深寬比石英結(jié)構(gòu)的NLD刻蝕[J];微納電子技術(shù);2017年09期

2 孫慧勇;;SiC材料在高溫潔凈爐窯設(shè)計(jì)中的應(yīng)用[J];工業(yè)設(shè)計(jì);2016年06期

【二級參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前1條

1 張慶釗;謝常青;劉明;李兵;朱效立;陳寶欽;;ICP等離子體刻蝕系統(tǒng)射頻偏壓的實(shí)驗(yàn)研究[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);2008年05期

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本文編號：2279218