【摘要】：針對傳統(tǒng)高壓功率器件的擊穿電壓與比導通電阻始終相互矛盾的問題,提出了一種具有多電極結(jié)構(gòu)的高壓SOI LDMOS器件。該結(jié)構(gòu)在漂移區(qū)的上方引入多個電極,每個電極偏置在不同的電位,器件正常工作時的電子電流聚集于漂移區(qū)表面,提供了一個低阻的導電通道,從而降低了比導通電阻。在漂移區(qū)引入多個額外電場峰值,提高了器件的擊穿電壓。與傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)相比,新結(jié)構(gòu)能夠?qū)舸╇妷簭?25V提高到403V,并且比導通電阻降低43%。
[Abstract]:Aiming at the contradiction between breakdown voltage and specific on-resistance of traditional high-voltage power devices, a novel high-voltage SOI LDMOS device with multi-electrode structure is proposed. A plurality of electrodes are introduced over the drift region. Each electrode is biased at a different potential. The electron current of the device is concentrated on the surface of the drift region during normal operation, which provides a low resistance conductive channel, thus reducing the specific on-resistance. A number of additional electric field peaks are introduced in the drift region to increase the breakdown voltage of the device. Compared with the conventional structure, the new structure can increase the breakdown voltage from 325 V to 403 V, and reduce the on-resistance by 43.
【作者單位】： 電子科技大學微電子與固體電子學院;四川長虹電器股份有限公司;
【基金】：國家自然科學基金資助項目(61376080)
【分類號】：TN386

【相似文獻】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 趙佶;;羅姆發(fā)布第二代SiC制MOSFET,可抑制通電劣化現(xiàn)象[J];半導體信息;2012年04期

2 張明興;;導通電阻為零的模擬開關(guān)[J];電子技術(shù);1986年12期

3 孫雋;;導通電阻極大減小的新型垂直功率MOSFET結(jié)構(gòu)[J];電子工藝技術(shù);1986年04期

4 Daisuke Ueda ,李巍;一種能降低導通電阻的新型縱向功率MOSFET結(jié)構(gòu)[J];微電子學;1987年02期

5 ;新品之窗[J];電子元器件應用;2002年06期

6 陳力;馮全源;;低壓溝槽功率MOSFET導通電阻的最優(yōu)化設計[J];微電子學;2012年05期

7 ;Vishay發(fā)布采用ThunderFET~汶技術(shù)的通過AEC-Q101認證的最新MOSFET[J];電子設計工程;2014年06期

8 張雯,閻冬梅;VDMOSFET的最佳化設計研究(500V)[J];遼寧大學學報(自然科學版);2004年01期

9 王穎;程超;胡海帆;;溝槽柵功率MOSFET導通電阻的模擬研究[J];北京工業(yè)大學學報;2011年03期

10 趙佶;;Mouser開始供應Vishay Siliconix Si8802 TrenchFET功率MOSFET[J];半導體信息;2012年06期

相關(guān)會議論文 前5條

1 諶怡;劉毅;王衛(wèi);夏連勝;張篁;朱雋;石金水;章林文;;GaAs光導開關(guān)的導通電阻[A];第九屆中國核學會“核科技、核應用、核經(jīng)濟（三核）”論壇論文集[C];2012年

2 孟堅;高珊;陳軍寧;柯導明;孫偉鋒;時龍興;徐超;;用阱作高阻漂移區(qū)的LDMOS導通電阻的解析模型[A];2005年“數(shù)字安徽”博士科技論壇論文集[C];2005年

3 武潔;方健;李肇基;;單晶擴散型LDMOS特性分析[A];展望新世紀——’02學術(shù)年會論文集[C];2002年

4 武潔;方健;李肇基;;單晶擴散型LDMOS特性分析[A];中國電工技術(shù)學會電力電子學會第八屆學術(shù)年會論文集[C];2002年

5 ;降低雙層金屬布線導通電阻不合格率 中國電子科技集團公司第二十四研究所單片工藝室PVD工序心一QC小組[A];2007年度電子信息行業(yè)優(yōu)秀質(zhì)量管理小組成果質(zhì)量信得過班組經(jīng)驗專集[C];2007年

相關(guān)重要報紙文章 前3條

1 四川 鐘榮;再議光耦合器的檢測方法[N];電子報;2005年

2 山東 毛興武;由STA500組成的60W D類放大器[N];電子報;2002年

3 吳;發(fā)展中的溝槽柵MOS器件[N];中國電子報;2001年

相關(guān)博士學位論文 前2條

1 章文通;超結(jié)功率器件等效襯底模型與非全耗盡工作模式研究[D];電子科技大學;2016年

2 黃海猛;超結(jié)器件的模型研究及優(yōu)化設計[D];電子科技大學;2013年

相關(guān)碩士學位論文 前10條

1 吳克滂;功率MOSFET的終端耐壓特性研究[D];西南交通大學;2015年

2 汪德波;60V 功率U-MOSFET失效分析與再設計[D];西南交通大學;2015年

3 吳文杰;一種基于曲率結(jié)擴展原理的襯底終端結(jié)構(gòu)的研究[D];電子科技大學;2014年

4 徐青;槽型高壓低功耗橫向MOSFET研究[D];電子科技大學;2015年

5 翟華星;基于離子注入工藝的新型SiC IGBT的設計與仿真[D];西安電子科技大學;2014年

6 廖濤;電磁爐用NPT型IGBT的研究[D];東南大學;2015年

7 于冰;基于0.25μm工藝的低壓Power MOS設計與研究[D];東南大學;2015年

8 周倩;一種低導通電阻60V Trench MOSFET的設計與制造[D];上海交通大學;2015年

9 楊萌;低導通電阻碳化硅光導開關(guān)研究[D];西安電子科技大學;2015年

10 李春來;新型低壓LDMOS結(jié)構(gòu)設計與仿真[D];西安電子科技大學;2015年

，

本文編號：2271896