【摘要】：針對傳統(tǒng)高壓功率器件的擊穿電壓與比導(dǎo)通電阻始終相互矛盾的問題,提出了一種具有多電極結(jié)構(gòu)的高壓SOI LDMOS器件。該結(jié)構(gòu)在漂移區(qū)的上方引入多個(gè)電極,每個(gè)電極偏置在不同的電位,器件正常工作時(shí)的電子電流聚集于漂移區(qū)表面,提供了一個(gè)低阻的導(dǎo)電通道,從而降低了比導(dǎo)通電阻。在漂移區(qū)引入多個(gè)額外電場峰值,提高了器件的擊穿電壓。與傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)相比,新結(jié)構(gòu)能夠?qū)舸╇妷簭?25V提高到403V,并且比導(dǎo)通電阻降低43%。
[Abstract]:Aiming at the contradiction between breakdown voltage and specific on-resistance of traditional high-voltage power devices, a novel high-voltage SOI LDMOS device with multi-electrode structure is proposed. A plurality of electrodes are introduced over the drift region. Each electrode is biased at a different potential. The electron current of the device is concentrated on the surface of the drift region during normal operation, which provides a low resistance conductive channel, thus reducing the specific on-resistance. A number of additional electric field peaks are introduced in the drift region to increase the breakdown voltage of the device. Compared with the conventional structure, the new structure can increase the breakdown voltage from 325 V to 403 V, and reduce the on-resistance by 43.
【作者單位】： 電子科技大學(xué)微電子與固體電子學(xué)院;四川長虹電器股份有限公司;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61376080)
【分類號(hào)】：TN386

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