發(fā)布時(shí)間：2018-10-10 15:46

【摘要】：建立典型半導(dǎo)體器件系統(tǒng)電磁脈沖與劑量率綜合效應(yīng)計(jì)算模型,對(duì)在瞬態(tài)X射線輻照下電纜末端典型n~+-p-n-n~+結(jié)構(gòu)的雙極晶體管負(fù)載的系統(tǒng)電磁脈沖與劑量率綜合效應(yīng)進(jìn)行研究,得到了綜合效應(yīng)現(xiàn)象,分析了綜合效應(yīng)機(jī)理,總結(jié)了綜合效應(yīng)規(guī)律。在系統(tǒng)電磁脈沖與劑量率綜合效應(yīng)作用下,雙極晶體管內(nèi)部,由于載流子數(shù)量劇增,其反向擊穿閾值降低,綜合效應(yīng)比單一效應(yīng)更易造成雙極晶體管的毀傷。編制的系統(tǒng)電磁脈沖與劑量率綜合效應(yīng)計(jì)算程序可用于分析電子學(xué)系統(tǒng)中其他類型半導(dǎo)體器件的效應(yīng)機(jī)理與規(guī)律。
[Abstract]:A comprehensive model of electromagnetic pulse and dose rate for typical semiconductor device system is established. The integrated effect of electromagnetic pulse and dose rate on the load of typical np-n-n~ structure bipolar transistor at the end of cable under transient X-ray irradiation is studied. The phenomenon of comprehensive effect is obtained, the mechanism of comprehensive effect is analyzed, and the law of comprehensive effect is summarized. Under the combined effect of electromagnetic pulse and dose rate, the reverse breakdown threshold of bipolar transistor decreases because of the sharp increase in the number of carriers, and the synthesis effect is more likely to damage the bipolar transistor than the single effect. The program can be used to analyze the effect mechanism and law of other kinds of semiconductor devices in electronic system.
【作者單位】： 西北核技術(shù)研究所強(qiáng)脈沖輻射環(huán)境模擬與效應(yīng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：強(qiáng)脈沖輻射環(huán)境模擬與效應(yīng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室基金項(xiàng)目(SKLIPR1403)
【分類號(hào)】：TN322.8

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前7條

1 趙墨;胡淑玲;申勝平;吳偉;程引會(huì);李進(jìn)璽;馬良;郭景海;;雙極晶體管負(fù)載瞬態(tài)輻照毀傷效應(yīng)[J];強(qiáng)激光與粒子束;2014年07期

2 趙墨;程引會(huì);吳偉;馬良;李進(jìn)璽;周輝;李寶忠;朱夢(mèng);;二極管負(fù)載電纜X射線輻照瞬態(tài)響應(yīng)數(shù)值模擬[J];強(qiáng)激光與粒子束;2013年02期

3 李進(jìn)璽;程引會(huì);周輝;吳偉;;用傳輸線和時(shí)域有限差分法計(jì)算電纜X射線響應(yīng)[J];強(qiáng)激光與粒子束;2007年12期

4 陳曦;杜正偉;龔克;;外電路在電磁脈沖對(duì)雙極型晶體管作用過(guò)程中的影響[J];強(qiáng)激光與粒子束;2007年07期

5 李進(jìn)璽;程引會(huì);周輝;郭紅霞;;屏蔽電纜對(duì)脈沖X射線響應(yīng)的數(shù)值計(jì)算[J];強(qiáng)激光與粒子束;2006年06期

6 周懷安;杜正偉;龔克;;雙極型晶體管損壞與強(qiáng)電磁脈沖注入位置的關(guān)系[J];強(qiáng)激光與粒子束;2006年04期

7 周懷安;杜正偉;龔克;;雙極型晶體管在強(qiáng)電磁脈沖作用下的瞬態(tài)響應(yīng)[J];強(qiáng)激光與粒子束;2005年12期

【共引文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 趙墨;吳偉;程引會(huì);郭景海;李進(jìn)璽;馬良;劉逸飛;;雙極晶體管的系統(tǒng)電磁脈沖與劑量率綜合效應(yīng)[J];強(qiáng)激光與粒子束;2017年02期

2 馬良;周輝;郭景海;吳偉;程引會(huì);李進(jìn)璽;趙墨;劉逸飛;;電纜X射線輻射感應(yīng)電導(dǎo)率引起的非線性效應(yīng)[J];強(qiáng)激光與粒子束;2016年11期

3 閆濤;李平;;高電子遷移率晶體管放大器高功率微波損傷機(jī)理[J];強(qiáng)激光與粒子束;2016年10期

4 李志鵬;李晶;孫靜;劉陽(yáng);方進(jìn)勇;;高功率微波作用下高電子遷移率晶體管的損傷機(jī)理[J];物理學(xué)報(bào);2016年16期

5 席曉文;柴常春;趙剛;楊銀堂;于新海;劉陽(yáng);;Damage effect and mechanism of the GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor induced by the electromagnetic pulse[J];Chinese Physics B;2016年04期

6 黃志娟;劉美琴;貢頂;李勇;楊志強(qiáng);;GGMOS型靜電放電防護(hù)器件的高功率微波效應(yīng)[J];強(qiáng)激光與粒子束;2016年03期

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8 程晉利;劉遠(yuǎn);劉健波;魏愛(ài)香;恩云飛;毛從光;;雙極型電壓比較器的強(qiáng)電磁脈沖效應(yīng)[J];微電子學(xué);2015年03期

9 劉起坤;周東方;邢鋒;雷雪;余道杰;王宇;;三維感應(yīng)場(chǎng)率有限長(zhǎng)柱體陣列高功率微波輻照特性分析[J];強(qiáng)激光與粒子束;2015年05期

10 趙墨;胡淑玲;申勝平;程引會(huì);吳偉;李進(jìn)璽;馬良;郭景海;;TLM-DDM耦合模型電磁脈沖環(huán)境適用性研究[J];核電子學(xué)與探測(cè)技術(shù);2015年01期

【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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3 陳曦;杜正偉;龔克;;外電路在電磁脈沖對(duì)雙極型晶體管作用過(guò)程中的影響[J];強(qiáng)激光與粒子束;2007年07期

4 陳曦;杜正偉;龔克;;基極注入強(qiáng)電磁脈沖對(duì)雙極型晶體管的作用[J];強(qiáng)激光與粒子束;2007年03期

5 李進(jìn)璽;程引會(huì);周輝;郭紅霞;;屏蔽電纜對(duì)脈沖X射線響應(yīng)的數(shù)值計(jì)算[J];強(qiáng)激光與粒子束;2006年06期

6 周懷安;杜正偉;龔克;;雙極型晶體管損壞與強(qiáng)電磁脈沖注入位置的關(guān)系[J];強(qiáng)激光與粒子束;2006年04期

7 周懷安;杜正偉;龔克;;雙極型晶體管在強(qiáng)電磁脈沖作用下的瞬態(tài)響應(yīng)[J];強(qiáng)激光與粒子束;2005年12期

8 周懷安,杜正偉,龔克;快上升沿電磁脈沖作用下PIN二極管中的電流過(guò)沖現(xiàn)象[J];強(qiáng)激光與粒子束;2005年05期

9 程引會(huì),周輝,喬登江,吳偉;帶阻性負(fù)載細(xì)導(dǎo)線對(duì)電磁脈沖響應(yīng)的有限差分算法[J];強(qiáng)激光與粒子束;2005年02期

10 陳海林,陳彬,李正東,易韻,陸峰;不同電磁脈沖作用下地面有限長(zhǎng)電纜外導(dǎo)體感應(yīng)電流的數(shù)值計(jì)算[J];強(qiáng)激光與粒子束;2004年10期

【相似文獻(xiàn)】

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2 A.J.Woods ,W.E.Hobbs ,E.P.Wenaas ,紀(jì)群火;空氣對(duì)圓柱體外部系統(tǒng)電磁脈沖響應(yīng)的影響[J];系統(tǒng)工程與電子技術(shù);1983年03期

3 彭貴新;試論用電激勵(lì)技術(shù)模擬SGEMP[J];核電子學(xué)與探測(cè)技術(shù);1985年05期

4 馬繼峰;王美娥;周春梅;林金永;;基于CST軟件的控制系統(tǒng)電磁脈沖環(huán)境分析研究[J];航天控制;2013年01期

5 ;[J];;年期

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2 李進(jìn)璽;程引會(huì);吳偉;周輝;;圓柱腔體內(nèi)系統(tǒng)電磁脈沖計(jì)算軟件[A];第十四屆全國(guó)核電子學(xué)與核探測(cè)技術(shù)學(xué)術(shù)年會(huì)論文集（下冊(cè)）[C];2008年

3 李進(jìn)璽;程引會(huì);吳偉;周輝;;圓柱腔體內(nèi)系統(tǒng)電磁脈沖計(jì)算軟件[A];第十四屆全國(guó)核電子學(xué)與核探測(cè)技術(shù)學(xué)術(shù)年會(huì)論文集（2）[C];2008年

4 孫東陽(yáng);劉順坤;林東生;;復(fù)雜系統(tǒng)電磁脈沖耦合效應(yīng)的數(shù)值模擬[A];第十屆全國(guó)抗輻射電子學(xué)與電磁脈沖學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2009年

5 周光鎰;姜幼明;;X射線產(chǎn)生的系統(tǒng)電磁脈沖[A];中國(guó)工程物理研究院科技年報(bào)（1999）[C];1999年

6 周啟明;鄧建紅;羅學(xué)金;曹文彬;;兩類系統(tǒng)電磁脈沖的模擬信號(hào)源[A];中國(guó)工程物理研究院科技年報(bào)（2000）[C];2000年

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本文編號(hào)：2262348