【摘要】：在匹配層結(jié)構(gòu)壓電換能器的基礎(chǔ)上,通過對兆聲壓電振子的振動模式進(jìn)行控制,在橫向尺度上實現(xiàn)了兆聲拋光工具頭振動振幅的均勻化,進(jìn)而開展了有/無兆聲作用下硅片的化學(xué)機(jī)械拋光實驗.拋光后,無兆聲作用硅片的表面粗糙度Ra均值達(dá)到0.072μm,兆聲作用硅片的表面粗糙度Ra均值達(dá)到0.020μm.測量了被拋光硅片的平面度,相對于無兆聲作用硅片的平面度的PV值28μm,兆聲作用硅片PV值顯著下降,為21μm.可見,相對于傳統(tǒng)化學(xué)機(jī)械拋光,兆聲化學(xué)機(jī)械復(fù)合拋光能夠有效地改善原有拋光工藝,提高硅片拋光表面質(zhì)量,實現(xiàn)其拋光均勻性.
[Abstract]:On the basis of matching layer structure piezoelectric transducer, by controlling the vibration mode of the megaphone piezoelectric vibrator, the vibration amplitude of the ultrasonic polishing tool head is homogenized on the transverse scale. The experiments of chemical mechanical polishing of silicon wafers with / without precursor sound were carried out. After polishing, the average surface roughness (Ra) of the wafer is 0.072 渭 m, and the Ra mean value of the surface roughness of the wafer is 0.020 渭 m. The planeness of the polished wafer was measured. The PV value of the wafer was 28 渭 m relative to the planeness of the wafer with no precursory action, and the PV value of the wafer subjected to the megoacoustic action was significantly decreased to 21 渭 m. It can be seen that compared with the traditional chemical mechanical polishing, the composite polishing process can effectively improve the original polishing process, improve the surface quality of silicon wafer polishing, and achieve the uniformity of polishing.
【作者單位】： 遼寧工業(yè)大學(xué)振動工程研究所;遼寧工業(yè)大學(xué)理學(xué)院;
【基金】：遼寧省科學(xué)技術(shù)計劃資助項目(2015020159) 遼寧省教育廳高校基本科研業(yè)務(wù)費資助項目(JL201615408)
【分類號】：TN304.12

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本文編號：2252565