小型化X頻段固態(tài)放大器設(shè)計(jì)
[Abstract]:Compared with the tube amplifier, the solid-state power amplifier has the advantages of high reliability, long life and low working voltage. In recent years, solid-state power amplifiers of various frequency bands (LPS-CX) have been widely used. In the field of digital remote sensing applications, solid-state amplifiers are generally required to work in X-band, except for the output power and other electrical performance requirements, and the weight of the amplifiers. Therefore, it is very important to study miniaturized solid-state amplifiers. At present, the main power transistor used in X-band solid-state power amplifier is Ga As FET power transistor. In this paper, the basic theory of solid-state power amplifier is introduced based on the basic principle. Then the design method of power amplifier and points for attention are introduced in detail. On the basis of this, a miniaturized solid-state power amplifier is designed, and the thermal analysis of the power components and the whole machine is carried out by using the thermal analysis software. The calculation results show that the amplifier has been rated for 10 minutes. The section temperature of the field effect tube is less than 150 degrees. Finally, through the test, the output power of the power amplifier in the 9~9.5GHz frequency range is more than 9 W, the additional efficiency of the whole machine is more than 25.
【學(xué)位授予單位】:電子科技大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號】:TN722.75
【相似文獻(xiàn)】
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,本文編號:2251938
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