發(fā)布時(shí)間：2018-09-18 07:33

【摘要】：運(yùn)用Comsol Multiphysics有限元軟件對(duì)多晶硅的定向凝固過程進(jìn)行了模擬,分析了不同坩堝厚度(15、20、25 mm)對(duì)多晶硅熔化、結(jié)晶過程及晶體熱應(yīng)力的影響。結(jié)果表明:當(dāng)坩堝厚度為15 mm時(shí),熔化所需要的時(shí)間最短,比坩堝厚度為20 mm和25 mm時(shí)分別少31 min和74 min;結(jié)晶初期,坩堝厚度為25 mm時(shí)的固液界面最為平坦,最有利于晶體的生長;多晶硅晶體底部邊緣和頂部邊緣區(qū)熱應(yīng)力高;坩堝厚度為15 mm時(shí),晶體內(nèi)熱應(yīng)力最大,且隨著坩堝厚度的增大,兩個(gè)區(qū)域的應(yīng)力都減小。
[Abstract]:The directional solidification process of polycrystalline silicon was simulated by Comsol Multiphysics finite element software. The effects of different crucible thickness (15,20,25 mm) on the melting, crystallization and thermal stress of polycrystalline silicon were analyzed. The results show that when the crucible thickness is 15 mm, the melting time is the shortest, which is 20 mm and 25 mm respectively. At the initial stage of crystallization, the solid-liquid interface is the most flat and favorable for crystal growth when the crucible thickness is 25 mm; the thermal stress in the bottom edge and top edge of polysilicon crystal is high; when the crucible thickness is 15 mm, the thermal stress in the crystal is the largest, and with the increase of the crucible thickness, the stress in both regions decreases.
【作者單位】： 南昌大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院;華東交通大學(xué);新余學(xué)院新能源科學(xué)與工程學(xué)院;江西省高等學(xué)校硅材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51164033) 江西省自然科學(xué)基金項(xiàng)目(20132BAB206021) 江西省高等學(xué)�？萍悸涞赜�(jì)劃項(xiàng)目(KJLD12050) 江西省教育廳科學(xué)技術(shù)研究項(xiàng)目(11739,12748,GJJ151220)
【分類號(hào)】：TN304.12

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本文編號(hào)：2247230