【摘要】：采用SILVACO軟件的ATLAS對(duì)雙有源層非晶銦鎵鋅氧化物薄膜晶體管進(jìn)行二維器件模擬,研究了在底柵頂接觸的結(jié)構(gòu)下,不同溝道厚度比的情況下的器件的電學(xué)特性。在IZO材料的厚度為5nm、IGZO材料的厚度為35nm時(shí),器件的最佳開(kāi)關(guān)電流比約為3.5×1013,亞閾值擺幅為0.36V/dec。并在此厚度比的基礎(chǔ)上,模擬了兩層材料的隙態(tài)密度,并通過(guò)改變態(tài)密度模型中的相關(guān)參數(shù),觀察兩層材料對(duì)器件的電學(xué)特性的影響情況。
[Abstract]:Two-dimensional device simulation of dual active layer amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistors is carried out by using ATLAS of SILVACO software. The electrical properties of the devices with different channel thickness ratios under the structure of bottom gate top contact are studied. When the thickness of IZO is 5 nm and the thickness of IGZO is 35nm, the optimal switching current ratio is about 3.5 脳 10 13 and the sub-threshold swing is 0.36 V / r. On the basis of the thickness ratio, the gap state density of the two-layer material is simulated, and the influence of the two-layer material on the electrical properties of the device is observed by changing the relevant parameters in the state density model.
【作者單位】： 江南大學(xué)物聯(lián)網(wǎng)工程學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然基金資助項(xiàng)目(60776056)
【分類(lèi)號(hào)】：TN321.5

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本文編號(hào)：2229523