【摘要】：隨著IGBT模塊功率等級(jí)的提高,芯片的功率密度和工作結(jié)溫大幅提升,導(dǎo)致器件長(zhǎng)期可靠性受熱應(yīng)力的影響越來越大。本文以3 300 V/3 000 A規(guī)格壓接式IGBT模塊為例,對(duì)壓接式IGBT模塊熱性能進(jìn)行研究:分析了模塊的傳熱模型并利用ANSYS對(duì)模塊結(jié)構(gòu)進(jìn)行迭代仿真,發(fā)現(xiàn)模塊雙面散熱存在不對(duì)稱性;同時(shí)分析了模塊結(jié)構(gòu)對(duì)熱阻的影響,并針對(duì)電極銅塊面積、電極銅塊厚度及鉬片厚度等結(jié)構(gòu)參數(shù)提出了優(yōu)化方案,可為器件的結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)提供參考。
[Abstract]:With the increase of IGBT module power level, the power density and working junction temperature of the chip are greatly increased, resulting in the long-term reliability of the device is more and more affected by the thermal stress. In this paper, the thermal performance of the compression IGBT module is studied by taking 300V / 3 000A specification IGBT module as an example. The heat transfer model of the module is analyzed and the iterative simulation of the module structure is carried out by using ANSYS. The asymmetry of heat dissipation on both sides of the module is found. At the same time, the influence of the module structure on the thermal resistance is analyzed, and the optimization scheme for the structural parameters such as the area of the electrode copper block, the thickness of the electrode copper block and the thickness of the molybdenum sheet is put forward, which can be used as a reference for the structural optimization design of the device.
【作者單位】： 株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司;
【分類號(hào)】：TN322.8

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本文編號(hào)：2227634