【摘要】：采用溶膠-凝膠工藝制備出高可見(jiàn)光透過(guò)率、低電阻率的Sn-Al共摻雜Zn O透明導(dǎo)電薄膜(ZASO薄膜),分析了退火真空度對(duì)薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、光電性能的影響。結(jié)果表明:真空退火不改變Zn O晶體的本質(zhì),但退火真空度對(duì)薄膜光電特性有顯著影響。退火真空度越高方塊電阻越小,在較高真空環(huán)境中退火得到的ZASO薄膜方塊電阻可低至0.7 kΩ·□-1。高真空退火時(shí),薄膜的透光率較高,可見(jiàn)光平均透過(guò)率可達(dá)93%左右。
[Abstract]:Sn-Al co-doped Zn O transparent conductive thin films (ZASO thin films) with high visible light transmittance and low resistivity were prepared by sol-gel process. The effect of annealing vacuum on the crystal structure and optoelectronic properties of the films was analyzed. The results show that vacuum annealing does not change the nature of Zn O crystal, but the annealing vacuum has a significant effect on the photoelectric properties of the films. The higher the annealed vacuum is, the smaller the square resistance is, and the lower the square resistance of ZASO film is to 0.7 k 惟 -1 when annealed in a higher vacuum environment. When annealed in high vacuum, the transmittance of the film is higher, and the average transmittance of visible light is about 93%.
【作者單位】： 商洛學(xué)院電子信息與電氣工程學(xué)院;
【基金】：商洛學(xué)院科研基金項(xiàng)目(14SKY009)
【分類號(hào)】：TN304.2

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