【摘要】：設(shè)計(jì)了一種基于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的量子點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)單光子探測(cè)器(quantum dot field effect transistor,QDFET),建立了二維電子氣(two-dimensional electron gas,2DEG)的薛定諤方程和泊松方程,通過對(duì)薛定諤方程和泊松方程的自洽求解,對(duì)2DEG的載流子濃度進(jìn)行了模擬。模擬結(jié)果顯示,AlGaAs的Al組分、δ摻雜層的摻雜濃度以及隔離層的厚度對(duì)于2DEG的載流子濃度均有影響。為了使2DEG具有較高的載流子濃度,AlGaAs的Al組分應(yīng)為0.2~0.4,δ摻雜濃度應(yīng)為6~8×10~(13)/cm~2,隔離層厚度應(yīng)在50nm以下。通過對(duì)2DEG的載流子濃度進(jìn)行研究,可以掌握2DEG載流子濃度的影響因素,從而通過優(yōu)化QDFET結(jié)構(gòu),可提高2DEG的載流子濃度。這對(duì)于高靈敏度QDFET的制備具有重要的意義和應(yīng)用價(jià)值。
[Abstract]:A quantum dot field effect single photon detector (quantum dot field effect transistor,QDFET) based on field effect transistor is designed. The Schrodinger equation and Poisson equation of two-dimensional electron gas (two-dimensional electron gas,2DEG) are established. The Schrodinger equation and Poisson equation are solved by the self-consistent solution of the Schrodinger equation and Poisson equation. The carrier concentration of 2DEG was simulated. The simulation results show that the composition of Al, the doping concentration of 未 -doped layer and the thickness of the isolated layer affect the carrier concentration of 2DEG. In order to make 2DEG have a higher carrier concentration, the Al component of AlGaAs should be 0.2n 0.4, the 未 doping concentration should be 6 ~ 8 脳 10 ~ (13) / cm ~ (-2), and the thickness of the isolated layer should be below 50nm. By studying the carrier concentration of 2DEG, the influencing factors of 2DEG carrier concentration can be grasped, and the carrier concentration of 2DEG can be improved by optimizing the structure of QDFET. It has important significance and application value for the preparation of high sensitivity QDFET.
【作者單位】： 河南質(zhì)量工程職業(yè)學(xué)院;軍械工程學(xué)院科研部;61699部隊(duì);
【基金】：平頂山市科技合作計(jì)劃項(xiàng)目(2013089)
【分類號(hào)】：TN386

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1 徐謹(jǐn)民;邵麗影;王永泰;吳敏;;重?fù)舰?Ⅴ族化合物半導(dǎo)體載流子濃度的光測(cè)法研究[A];全國第五屆分子光譜學(xué)術(shù)報(bào)告會(huì)文集[C];1988年

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3 趙普琴;楊錫震;薛洪濤;;GaP:N綠色LEDn2層載流子濃度的優(yōu)化[A];第九屆全國發(fā)光學(xué)術(shù)會(huì)議摘要集[C];2001年

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5 滕利華;丁必鋒;劉曉東;賴天樹;;GaAs中載流子馳豫動(dòng)力學(xué)的理論與實(shí)驗(yàn)研究[A];中國光學(xué)學(xué)會(huì)2006年學(xué)術(shù)大會(huì)論文摘要集[C];2006年

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本文編號(hào)：2213828