基于RCM的混沌腔體電磁耦合特性的研究
[Abstract]:With the development of electronic technology, the electronic system and electromagnetic environment become more and more complex, and the uncertainties, randomness and sensitivity of various electromagnetic interference coupled to the target system become more and more obvious. The statistical description of the electromagnetic coupling effect is obviously superior to the deterministic description. Stochastic coupling model (RCM) is of great significance in the fields of electromagnetic compatibility, statistical electromagnetics, anti-radiation reinforcement and high-power microwave effect, in order to make it a universal research tool. More in-depth theoretical analysis and experimental research are needed. Aiming at the typical problems in the study of (HPM) and EMC (EMC), that is, electromagnetic coupling of a complex encapsulated cavity, a stochastic coupling model is introduced and the coupling characteristics of the chaotic cavity are analyzed systematically in this paper. The model is studied theoretically and experimentally. Firstly, based on the research status of HPM, the characteristics and limitations of the existing methods are analyzed. Based on the uncertainty of complex cavities and the randomness of the effect process, a stochastic coupling model is introduced and the chaotic phenomena of waves are described and analyzed. On this basis, the coupling characteristics, the extraction of physical quantities and the statistical prediction of inductive voltage are carried out for the target points of complex cavity. An FM transmission circuit is selected as the circuit to be tested. The sensitive area and the sensitive point in the circuit are determined by using the Emscan electromagnetic interference scanning system. A set of experimental data processing flow is concluded. The scattering coefficient and radiation scattering of cavity are measured and the loss factor of cavity is calculated. Combined with the solution process of normalized impedance, the formula of inductive voltage at target point is deduced, and the statistical distribution of inductive voltage is analyzed, which opens up a new method and train of thought for the study of high power microwave effect and electromagnetic compatibility.
【學(xué)位授予單位】:華北電力大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類號(hào)】:TN03
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,本文編號(hào):2211461
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