【摘要】：針對(duì)峰值波段15μm的320×256量子阱甚長(zhǎng)波紅外探測(cè)器應(yīng)用的快速降溫、低功耗和環(huán)境適應(yīng)性要求,分析了15μm量子阱探測(cè)器低溫集成組件技術(shù)的特點(diǎn)。通過(guò)對(duì)冷指的優(yōu)化設(shè)計(jì)、冷屏的熱設(shè)計(jì)及冷平臺(tái)輔助支撐結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)等低溫集成技術(shù)的研究,實(shí)現(xiàn)了量子阱探測(cè)器組件的快速降溫、低功耗和高環(huán)境適應(yīng)性。經(jīng)過(guò)測(cè)試,封裝有量子阱探測(cè)器的IDCA組件滿足項(xiàng)目使用要求。
[Abstract]:Aiming at the requirements of fast cooling, low power consumption and environmental adaptability of 320 脳 256 quantum well very long wave infrared detectors with peak band of 15 渭 m, the characteristics of low temperature integrated module technology for 15 渭 m quantum well detectors are analyzed. Through the research on the low temperature integration technology, such as the optimization design of cold finger, the thermal design of cold screen and the design of supporting structure of cold platform, the fast cooling, low power consumption and high environment adaptability of quantum well detector module are realized. After testing, the IDCA module encapsulated with a quantum well detector meets the requirements of the project.
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所傳感技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國(guó)科學(xué)院大學(xué);中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所紅外物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【分類號(hào)】：TN215

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 吳光恒;;表面量子阱[J];發(fā)光快報(bào);1987年Z1期

2 但偉;邵明珠;;非對(duì)稱量子阱與系統(tǒng)的本征值和本征函數(shù)[J];微納電子技術(shù);2008年05期

3 邵明珠;羅詩(shī)裕;;超晶格量子阱的空穴躍遷與材料的光電性質(zhì)[J];東莞理工學(xué)院學(xué)報(bào);2010年01期

4 劉振鵬;在深量子阱中的庫(kù)侖雜質(zhì)態(tài)[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);1984年03期

5 茅惠兵,張家明,陸衛(wèi),沈?qū)W礎(chǔ);非對(duì)稱耦合雙量子阱的熒光光譜研究[J];紅外與毫米波學(xué)報(bào);1996年02期

6 劉建軍,孔小均;量子阱的二維等效勢(shì)模型的研究[J];河北師范大學(xué)學(xué)報(bào);1998年02期

7 繆中林,陳平平,蔡煒穎,李志鋒,袁先漳,劉平,史國(guó)良,徐文蘭,陸衛(wèi),陳昌明,朱德彰,潘浩昌,胡軍,李明乾;組合注入質(zhì)子導(dǎo)致不對(duì)稱耦合雙量子阱界面混合效應(yīng)研究[J];物理學(xué)報(bào);2001年01期

8 ;用量子阱中的量子點(diǎn)探測(cè)熱紅外光子[J];光學(xué)儀器;2003年04期

9 田亞芳;劉正春;張中明;;超晶格量子阱中的量子力學(xué)效應(yīng)[J];云南大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2007年S1期

10 胡西多;羅詩(shī)裕;邵明珠;;雙曲正割平方勢(shì)與量子阱的電子躍遷[J];半導(dǎo)體光電;2007年05期

相關(guān)會(huì)議論文 前2條

1 翟利學(xué);劉建軍;;磁場(chǎng)作用下拋物形量子阱線中的帶電施主離子的性質(zhì)[A];第十六屆全國(guó)半導(dǎo)體物理學(xué)術(shù)會(huì)議論文摘要集[C];2007年

2 唐晉宇;康偉;項(xiàng)若飛;張進(jìn);陳長(zhǎng)清;葉朝輝;;AlN/GaN耦合雙量子阱子帶波函數(shù)及紅外波段子帶躍遷[A];第十三屆全國(guó)紅外加熱暨紅外醫(yī)學(xué)發(fā)展研討會(huì)論文及論文摘要集[C];2011年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前2條

1 王光緒;硅基LED量子阱相關(guān)特性及芯片p面技術(shù)研究[D];南昌大學(xué);2012年

2 朱賀;BIB探測(cè)器的制備及等離子體效應(yīng)的應(yīng)用研究[D];浙江大學(xué);2017年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前7條

1 賀利軍;超晶格量子阱光學(xué)性質(zhì)的研究[D];山東大學(xué);2005年

2 高玲;介電量子阱線中的激子態(tài)[D];河北師范大學(xué);2006年

3 張帥;THz量子阱探測(cè)器：設(shè)計(jì)、性能計(jì)算與提高[D];上海交通大學(xué);2014年

4 陳曉芳;無(wú)限深GaAs量子阱線中雙激子的性質(zhì)[D];河北師范大學(xué);2005年

5 王恒亮;亞波長(zhǎng)金屬十字孔結(jié)構(gòu)在量子阱紅外光探測(cè)器應(yīng)用中的模擬研究[D];復(fù)旦大學(xué);2011年

6 蘇日古嘎;纖鋅礦In_xGa_(1-x)N/GaN量子阱中界面聲子對(duì)極化子能量的影響[D];內(nèi)蒙古師范大學(xué);2012年

7 劉賀;外場(chǎng)下壓力及屏蔽對(duì)量子阱中施主結(jié)合能的影響[D];內(nèi)蒙古工業(yè)大學(xué);2013年

，

本文編號(hào)：2206914