發(fā)布時間：2018-08-22 20:24

【摘要】：針對拋光墊的使用壽命對銅膜平均去除速率一致性的影響進行研究,同時采用實時表面形貌控制(RTPC)技術,對拋光過程中,銅膜表面形貌進行實時監(jiān)控。實驗結果表明:拋光墊的使用壽命對銅膜化學機械拋光(CMP)平均去除速率影響很大,使用前期(拋光墊使用時間Tt≤500 pcs),銅膜平均去除速率穩(wěn)定,粗拋一致性良好(片內(nèi)非均勻性(WIWNU)為3.37%),粗拋后剩余膜厚范圍小于60 nm。使用后期(Tt500 pcs),粗拋速率一致性較差,粗拋后剩余膜厚范圍大于100 nm。拋光墊修整能有效恢復拋光墊表面狀態(tài),采用在線同步修整技術,可以延長拋光墊使用壽命到750 pcs以上。但是過長的修整時間不能保證銅膜良好的平均去除速率一致性,也會加大拋光墊磨損,降低使用壽命。
[Abstract]:The effect of the service life of the polishing pad on the uniformity of the average removal rate of copper film was studied, and the real-time (RTPC) technology was used to monitor the surface morphology of the copper film in the process of polishing. The experimental results show that the service life of the pad has a great influence on the average removal rate of (CMP) in the chemical-mechanical polishing of copper film, and the average removal rate of copper film in the early stage (t t 鈮，

本文編號：2198201