【摘要】：研究了銅化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)過(guò)程中,不同壓力和非離子型表面活性劑對(duì)片內(nèi)非均勻性(WIWNU)的影響。通過(guò)改變拋光壓力大小和非離子型表面活性劑濃度,得出WIWNU的變化規(guī)律。實(shí)驗(yàn)表明,在不同拋光壓力下,銅去除速率有明顯的變化。當(dāng)拋光壓力為0 psi(1 psi=6.89×103Pa)時(shí),去除速率呈中間高邊緣低。當(dāng)壓力為0.5 psi時(shí),邊緣處去除速率較高,且隨著壓力的增大,晶圓邊緣處去除速率與晶圓中心處去除速率差將更明顯,導(dǎo)致片內(nèi)非一致性增大。通過(guò)添加非離子型表面活性劑,可以改善WIWNU。當(dāng)壓力為1.5 psi時(shí),非離子型表面活性劑體積分?jǐn)?shù)為5%,WIWNU可降低到3.01%,并且得到良好的平坦化結(jié)果。同時(shí),非離子型表面活性劑對(duì)晶圓表面殘留顆粒具有良好的去除作用。
[Abstract]:The effects of different pressures and Nonionic surfactants on the in-chip nonuniformity of (WIWNU) in copper chemical-mechanical polishing (CMP) process were studied. By changing the polishing pressure and the concentration of Nonionic surfactants, the variation of WIWNU was obtained. The experiment shows that the copper removal rate has obvious change under different polishing pressure. When the polishing pressure is 0 psi (1 psi=6.89 脳 103Pa), the removal rate is high and low. When the pressure is 0.5 psi, the removal rate at the edge is higher, and with the increase of the pressure, the difference between the removal rate at the edge of the wafer and the removal rate at the center of the wafer will be more obvious, resulting in the increase of the inconsistency in the wafer. WIWNU can be improved by adding Nonionic surfactants. When the pressure is 1. 5 psi, the volume fraction of Nonionic surfactant can be reduced to 3. 01 with a volume fraction of 5% WIWNU, and a good flattening result can be obtained. At the same time, Nonionic surfactants have a good removal effect on the residual particles on the wafer surface.
【作者單位】： 河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院;河北工業(yè)大學(xué)天津市電子材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家中長(zhǎng)期科技發(fā)展規(guī)劃重大專項(xiàng)資助項(xiàng)目(2009ZX02308) 天津市自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(16JCYBJC16100) 河北省自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(E2013202247)
【分類號(hào)】：TN305.2

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 蔡婷;劉玉嶺;王辰偉;牛新環(huán);陳蕊;高嬌嬌;;TSV Cu CMP堿性拋光液及工藝[J];微納電子技術(shù);2013年11期

2 王辰偉;劉玉嶺;蔡婷;馬鎖輝;曹陽(yáng);高嬌嬌;;多羥多胺在TSV銅膜CMP中的應(yīng)用研究[J];功能材料;2013年24期

3 高嬌嬌;劉玉嶺;王辰偉;曹陽(yáng);陳蕊;蔡婷;;磷酸作為pH調(diào)節(jié)劑在阻擋層拋光過(guò)程中的應(yīng)用[J];微納電子技術(shù);2013年11期

4 蔣勐婷;劉玉嶺;王辰偉;袁浩博;陳國(guó)棟;劉偉娟;;稀釋倍數(shù)對(duì)弱堿性銅粗拋液性能的影響[J];微納電子技術(shù);2014年04期

5 潘章杰;馮玢;王磊;郝建民;;SiC(0001)面和(000-1)面CMP拋光對(duì)比研究[J];電子工業(yè)專用設(shè)備;2013年04期

6 蔡婷;劉玉嶺;王辰偉;陳蕊;高嬌嬌;;弱堿性多羥多胺拋光液穩(wěn)定性[J];微納電子技術(shù);2013年12期

7 張曉強(qiáng);劉玉嶺;王辰偉;楊立兵;;磷酸和酒石酸在GSI阻擋層CMP拋光液中的應(yīng)用[J];半導(dǎo)體技術(shù);2012年03期

8 尹康達(dá);王勝利;劉玉嶺;王辰偉;岳紅維;鄭偉艷;;銅CMP中溫度與質(zhì)量傳遞對(duì)速率均勻性的影響[J];半導(dǎo)體技術(shù);2012年10期

9 劉玉嶺;;硅片CMP拋光工藝技術(shù)研究[J];電子工藝技術(shù);2010年05期

10 侯麗輝;劉玉嶺;王勝利;孫薇;時(shí)慧玲;張偉;;拋光液組成對(duì)LiNbO_3 CMP去除速率的影響[J];半導(dǎo)體技術(shù);2008年08期

相關(guān)會(huì)議論文 前2條

1 王志芳;;晶片研磨速率及損傷層的研究[A];2006年全國(guó)光電技術(shù)學(xué)術(shù)交流會(huì)會(huì)議文集（E 光電子器件技術(shù)專題）[C];2006年

2 檀柏梅;牛新環(huán);時(shí)慧玲;劉玉嶺;崔春翔;;納米磨料在二氧化硅介質(zhì)CMP中的作用分析[A];第六屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集（2）[C];2007年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前5條

1 郝飛霞;射頻等離子體拋光裝置及工藝研究[D];西安工業(yè)大學(xué);2014年

2 高原;大氣等離子體發(fā)生技術(shù)及工藝研究[D];西安工業(yè)大學(xué);2016年

3 張濤峰;ZnO光電功能薄膜材料的CMP研究[D];天津理工大學(xué);2012年

4 劉蘋;堿性拋光液對(duì)銅平坦化的影響研究[D];清華大學(xué);2009年

5 王成;銅的固結(jié)磨料化學(xué)機(jī)械研拋工藝[D];南京航空航天大學(xué);2014年

，

本文編號(hào)：2192511