【摘要】：研究了銅化學(xué)機械拋光(CMP)過程中,不同壓力和非離子型表面活性劑對片內(nèi)非均勻性(WIWNU)的影響。通過改變拋光壓力大小和非離子型表面活性劑濃度,得出WIWNU的變化規(guī)律。實驗表明,在不同拋光壓力下,銅去除速率有明顯的變化。當(dāng)拋光壓力為0 psi(1 psi=6.89×103Pa)時,去除速率呈中間高邊緣低。當(dāng)壓力為0.5 psi時,邊緣處去除速率較高,且隨著壓力的增大,晶圓邊緣處去除速率與晶圓中心處去除速率差將更明顯,導(dǎo)致片內(nèi)非一致性增大。通過添加非離子型表面活性劑,可以改善WIWNU。當(dāng)壓力為1.5 psi時,非離子型表面活性劑體積分?jǐn)?shù)為5%,WIWNU可降低到3.01%,并且得到良好的平坦化結(jié)果。同時,非離子型表面活性劑對晶圓表面殘留顆粒具有良好的去除作用。
[Abstract]:The effects of different pressures and Nonionic surfactants on the in-chip nonuniformity of (WIWNU) in copper chemical-mechanical polishing (CMP) process were studied. By changing the polishing pressure and the concentration of Nonionic surfactants, the variation of WIWNU was obtained. The experiment shows that the copper removal rate has obvious change under different polishing pressure. When the polishing pressure is 0 psi (1 psi=6.89 脳 103Pa), the removal rate is high and low. When the pressure is 0.5 psi, the removal rate at the edge is higher, and with the increase of the pressure, the difference between the removal rate at the edge of the wafer and the removal rate at the center of the wafer will be more obvious, resulting in the increase of the inconsistency in the wafer. WIWNU can be improved by adding Nonionic surfactants. When the pressure is 1. 5 psi, the volume fraction of Nonionic surfactant can be reduced to 3. 01 with a volume fraction of 5% WIWNU, and a good flattening result can be obtained. At the same time, Nonionic surfactants have a good removal effect on the residual particles on the wafer surface.
【作者單位】： 河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院;河北工業(yè)大學(xué)天津市電子材料與器件重點實驗室;
【基金】：國家中長期科技發(fā)展規(guī)劃重大專項資助項目(2009ZX02308) 天津市自然科學(xué)基金資助項目(16JCYBJC16100) 河北省自然科學(xué)基金資助項目(E2013202247)
【分類號】：TN305.2

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本文編號：2192511