【摘要】：本文采用射頻磁控濺射方法,制備了非晶摻鎢氧化銦(a-IWO)薄膜及其薄膜晶體管(TFTs),并探討了濺射過程中氧流量對a-IWO薄膜及其TFTs性能的影響.研究發(fā)現(xiàn),隨著沉積過程中氧流量的增加,a-IWOTFTs器件的飽和遷移率降低,閾值電壓正向偏移,說明濺射過程中氧流量的增加有效抑制了a-IWO溝道層中氧空位的產(chǎn)生,降低了載流子濃度.當(dāng)濺射過程中氧氣/氬氣流量比為2∶28時,制備的TFT器件飽和遷移率為27.6cm2·V-1·s-1,閾值電壓為-0.5V,電流開關(guān)比為108.
[Abstract]:In this paper, amorphous indium tungsten oxide (a-IWO) thin films and their thin film transistors (TFTs),) have been prepared by RF magnetron sputtering. The effects of oxygen flow rate on the properties of a-IWO films and their TFTs have been investigated. It is found that with the increase of oxygen flow rate during deposition, the saturation mobility of a-IWOTFTs device decreases and the threshold voltage shifts forward, which indicates that the increase of oxygen flow rate during sputtering effectively inhibits the generation of oxygen vacancies in the a-IWO channel layer. The carrier concentration is reduced. When the oxygen / argon flow ratio is 2:28 during sputtering, the saturation mobility, threshold voltage and current-switching ratio of the fabricated TFT device are 27.6cm2 V-1 s-1, -0.5 V and 108, respectively.
【作者單位】： 復(fù)旦大學(xué)材料科學(xué)系TFT-LCD關(guān)鍵材料及技術(shù)國家工程實驗室;臺灣交通大學(xué)光電工程學(xué)系;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(61136004,61471126)
【分類號】：TN321.5

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