【摘要】：設計了一款應用于4G(TD-LTE)的可變增益低噪聲放大器(VGLNA)。輸入級采用共柵極跨導增強結(jié)構(gòu),實現(xiàn)了電路的輸入阻抗匹配,并且加入共柵極噪聲抵消電路,降低了電路的噪聲系數(shù);第2級采用改進型電流舵結(jié)構(gòu),實現(xiàn)了電路的增益大范圍連續(xù)可變;輸出級采用源跟隨器,實現(xiàn)了良好的輸出阻抗匹配。基于TSMC 0.18μm CMOS工藝,利用安捷倫射頻集成電路設計工具ADS2009進行仿真驗證。結(jié)果表明:在1.88~2.65GHz頻段內(nèi),該LNA在2.7~39.3dB增益范圍內(nèi)連續(xù)可變,且輸入端口反射系數(shù)S_(11)小于-10dB,輸出端口反射系數(shù)S_(22)小于-20dB,最小噪聲系數(shù)NF為2.6dB,最大3階交調(diào)點IIP3達到2.7dBm。
[Abstract]:A variable gain low noise amplifier (VGLNA).) for 4G (TD-LTE) is designed. The input stage adopts the common grid transconductance enhancement structure, realizes the input impedance matching of the circuit, and adds the common grid noise cancellation circuit to reduce the noise coefficient of the circuit. The gain of the circuit is continuously variable over a wide range, and the output stage uses a source follower to achieve a good output impedance matching. Based on the TSMC 0.18 渭 m CMOS process, the Agilent RF IC design tool ADS2009 is used for simulation verification. The results show that in the 1.88~2.65GHz band, the LNA is continuously variable in the 2.7~39.3dB gain range, and the reflection coefficient S11 of the input port is less than -10dB, the reflection coefficient S22 of the output port is less than -20dB, the minimum noise coefficient is 2.6 dB, and the maximum 3-order cross-modulation point IIP3 is 2.7 dBm.
【作者單位】： 北京工業(yè)大學電子信息與控制工程學院;
【基金】：國家自然科學基金資助項目(61574010,61006044,61006059) 北京市自然科學基金資助項目(4142007,4082007,4143059)
【分類號】：TN722.3

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本文編號：2162091