一種電流舵結(jié)構(gòu)大范圍連續(xù)可變?cè)鲆鍸NA
[Abstract]:A variable gain low noise amplifier (VGLNA).) for 4G (TD-LTE) is designed. The input stage adopts the common grid transconductance enhancement structure, realizes the input impedance matching of the circuit, and adds the common grid noise cancellation circuit to reduce the noise coefficient of the circuit. The gain of the circuit is continuously variable over a wide range, and the output stage uses a source follower to achieve a good output impedance matching. Based on the TSMC 0.18 渭 m CMOS process, the Agilent RF IC design tool ADS2009 is used for simulation verification. The results show that in the 1.88~2.65GHz band, the LNA is continuously variable in the 2.7~39.3dB gain range, and the reflection coefficient S11 of the input port is less than -10dB, the reflection coefficient S22 of the output port is less than -20dB, the minimum noise coefficient is 2.6 dB, and the maximum 3-order cross-modulation point IIP3 is 2.7 dBm.
【作者單位】: 北京工業(yè)大學(xué)電子信息與控制工程學(xué)院;
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61574010,61006044,61006059) 北京市自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(4142007,4082007,4143059)
【分類號(hào)】:TN722.3
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,本文編號(hào):2162091
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