發(fā)布時間：2018-08-02 10:14

【摘要】：正由于GaN具有大禁帶寬度、高電子遷移率、高擊穿場強等優(yōu)點,GaN HEMT成為新一代功率器件研究的熱點。由于極化作用,AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)界面會形成高濃度的二維電子氣,濃度可達到1013/cm~2量級,因此一般的GaN HEMT都是耗盡型器件。如何實現(xiàn)增強型GaN HEMT一直是該領(lǐng)域研究的難點,目前幾種主要用來制備增強型器件的方案包括:p型柵、凹槽柵、F處理和Cascode結(jié)構(gòu)。其中,p型柵的方案已經(jīng)被很
[Abstract]:Due to the advantages of GaN, such as large band gap, high electron mobility and high breakdown field strength, gan HEMT has become a new generation of power devices. Due to polarization effect, high concentration of two-dimensional electron gas can be formed on the AlGaN / gan heterojunction surface, and the concentration can reach the 1013/cm~2 level. Therefore, the general GaN HEMT is a depleted device. How to realize enhanced GaN HEMT is always a difficult problem in this field. At present, several schemes are mainly used to fabricate enhanced devices, such as: P gate, grooved gate F processing and Cascode structure. Among them, the scheme of type p gate has already been very
【作者單位】： 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所;
【分類號】：TN386

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本文編號：2159109