發(fā)布時(shí)間：2018-08-02 10:14

【摘要】：正由于GaN具有大禁帶寬度、高電子遷移率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),GaN HEMT成為新一代功率器件研究的熱點(diǎn)。由于極化作用,AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)界面會(huì)形成高濃度的二維電子氣,濃度可達(dá)到1013/cm~2量級(jí),因此一般的GaN HEMT都是耗盡型器件。如何實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型GaN HEMT一直是該領(lǐng)域研究的難點(diǎn),目前幾種主要用來(lái)制備增強(qiáng)型器件的方案包括:p型柵、凹槽柵、F處理和Cascode結(jié)構(gòu)。其中,p型柵的方案已經(jīng)被很
[Abstract]:Due to the advantages of GaN, such as large band gap, high electron mobility and high breakdown field strength, gan HEMT has become a new generation of power devices. Due to polarization effect, high concentration of two-dimensional electron gas can be formed on the AlGaN / gan heterojunction surface, and the concentration can reach the 1013/cm~2 level. Therefore, the general GaN HEMT is a depleted device. How to realize enhanced GaN HEMT is always a difficult problem in this field. At present, several schemes are mainly used to fabricate enhanced devices, such as: P gate, grooved gate F processing and Cascode structure. Among them, the scheme of type p gate has already been very
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所;
【分類號(hào)】：TN386

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