【摘要】：在12~300K的溫度范圍內(nèi)研究了InSb薄膜(利用MBE生長(zhǎng))的磁阻效應(yīng)隨厚度的變化關(guān)系.實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)厚的InSb薄膜只能產(chǎn)生半經(jīng)典(∝B2)磁阻效應(yīng).而減小薄膜厚度,在薄的InSb薄膜中會(huì)更容易出現(xiàn)弱反局域化效應(yīng),從而造成在低溫下(35K)出現(xiàn)了一個(gè)異常的隨溫度增加而遷移率降低的趨勢(shì).我們發(fā)現(xiàn)該弱反局域化效應(yīng)可用HLN模型擬合,證明了它可能來(lái)源于二維(2-D)體系,比如InSb的界面態(tài).
[Abstract]:The dependence of the magnetoresistive effect on the thickness of InSb thin films (grown by MBE) has been studied in the temperature range of 12C 300K. It is found that thick InSb films can only produce a semiclassical magnetoresistive effect. However, when the thickness of thin InSb films is reduced, the weak anti-localization effect is more likely to occur in thin InSb thin films, resulting in an abnormal trend of decreasing mobility with the increase of temperature at low temperature (35K). It is found that the weak anti-localization effect can be fitted by the HLN model, and it is proved that it may originate from two-dimensional (2-D) systems, such as the interfacial states of InSb.
【作者單位】： 上海理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所紅外物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;華東師范大學(xué)極化材料與器件教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(11204334,61475178)~~
【分類(lèi)號(hào)】：TN304.23

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 ;電磁效應(yīng)[J];傳感器技術(shù);1990年01期

2 王蘊(yùn)杰;;序列分段算法在磁阻效應(yīng)數(shù)據(jù)處理中的應(yīng)用[J];計(jì)算機(jī)應(yīng)用與軟件;2011年01期

3 吳丹丹,李佐宜,邱進(jìn)軍,盧志紅;薄膜厚度對(duì)NiO/NiFe/Cu/NiFe自旋閥多層膜的磁阻效應(yīng)的影響[J];磁記錄材料;1999年01期

4 胡用時(shí)，鄭遠(yuǎn)開(kāi)，，張德明;薄膜磁阻效應(yīng)自動(dòng)測(cè)試方法的研究[J];磁性材料及器件;1995年01期

5 廖克俊,王萬(wàn)錄,王必本;半導(dǎo)體金剛石膜的磁阻效應(yīng)[J];微細(xì)加工技術(shù);2000年01期

6 許積文;楊玲;任明放;;用Origin7.5軟件處理半導(dǎo)體磁阻效應(yīng)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)[J];廣西物理;2008年03期

7 曹文;歐陽(yáng)君;楊曉非;;基于各向異性磁阻效應(yīng)的地磁檢測(cè)模塊設(shè)計(jì)[J];艦船電子工程;2007年03期

8 程文超，朱景兵，李月霞，宋愛(ài)民，鄭厚植;GaAs－Al_xGa_（1－x）As異質(zhì)結(jié)中二維熱電子的負(fù)磁阻效應(yīng)[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);1994年08期

9 黃釗洪;擴(kuò)展到可見(jiàn)光波段的磁阻效應(yīng)增強(qiáng)型光電傳感器[J];半導(dǎo)體技術(shù);2001年09期

10 ;[J];;年期

相關(guān)會(huì)議論文 前3條

1 石玉;過(guò)壁君;;提高磁敏薄膜磁阻效應(yīng)的工藝途徑[A];首屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];1992年

2 朱丹丹;章曉中;薛慶忠;;用脈沖激光方法在Si(100)上沉積的Co_x-C_(1-x)顆粒膜及其正磁阻效應(yīng)[A];納米材料和技術(shù)應(yīng)用進(jìn)展——全國(guó)第三屆納米材料和技術(shù)應(yīng)用會(huì)議論文集（下卷）[C];2003年

3 宋成;魏曉雪;潘峰;;亞穩(wěn)結(jié)構(gòu)鈷的形成對(duì)Co/Ru多層膜磁性的影響[A];TFC'05全國(guó)薄膜技術(shù)學(xué)術(shù)研討會(huì)論文摘要集[C];2005年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前1條

1 孔春陽(yáng);金剛石薄膜磁阻效應(yīng)及相關(guān)問(wèn)題的研究[D];重慶大學(xué);2002年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前5條

1 羅均美;(La_(0.67)Ca_(0.33-y)Sr_yMnO_3)_(1-X):Ag_x材料制備及電性能研究[D];昆明理工大學(xué);2016年

2 張經(jīng)慧;ZnO基稀磁半導(dǎo)體電磁特性的研究[D];渤海大學(xué);2017年

3 朱強(qiáng);基于磁阻效應(yīng)的車(chē)型自動(dòng)識(shí)別算法研究及其應(yīng)用[D];華南理工大學(xué);2013年

4 李劍飛;Sr-Ce-Fe-Mo-O-N雙鈣鈦礦系列化合物的結(jié)構(gòu)及其性質(zhì)的研究[D];河北大學(xué);2015年

5 陳黎暄;有機(jī)磁阻效應(yīng)的探索[D];北京交通大學(xué);2011年

本文編號(hào)：2152088