【摘要】：報道了液氮溫度下激光束誘導電流(LBIC)和I-V測試兩種在HgCdTe器件中pn結(jié)結(jié)區(qū)擴展的表征方法.通過LBIC和I-V測試,發(fā)現(xiàn)了p型HgCdTe材料中由B+離子注入成結(jié)和干法刻蝕成結(jié)對材料造成的損傷使得有效結(jié)區(qū)范圍大于注入和刻蝕面積,并獲得n區(qū)橫向擴展.同時,通過對比,相互印證兩種方法得到的測試結(jié)果一致.
[Abstract]:(LBIC) and I-V measurements of laser beam induced current at liquid nitrogen temperature are reported for the characterization of pn junction expansion in HgCdTe devices. By means of LBIC and I-V measurements, it was found that the damage caused by B ion implantation and dry etching in p-type HgCdTe materials made the effective junction area larger than the implanted and etched area, and the transverse expansion of n region was obtained. At the same time, the test results obtained by the two methods are consistent with each other through comparison.
【作者單位】： 中國科學院上海技術(shù)物理研究所;上�？萍即髮W;中國科學院大學;
【基金】：中國科學院國防科技創(chuàng)新基金項目(國防實驗基金)~~
【分類號】：TN305

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本文編號：2144667