本文選題：盒柵式電子倍增器 + 電子軌跡　； 參考：《真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報》2017年04期

【摘要】：采用三維電磁分析軟件CST對盒柵式電子倍增器結(jié)構(gòu)進行建模,利用控制變量的分析方法修改模型參數(shù),模擬計算了不同打拿極柵網(wǎng)結(jié)構(gòu)參數(shù)和出射電子能量條件下電子倍增器內(nèi)部的電場分布、電子運動軌跡以及倍增器增益。研究分析了打拿極柵網(wǎng)結(jié)構(gòu)參數(shù)和出射電子能量對電子倍增器特性的影響。數(shù)值模擬結(jié)果表明,倍增器打拿極柵網(wǎng)密度過密或者過疏均會降低電子倍增器的增益,在打拿極柵網(wǎng)間距為0.9 mm時電子倍增器增益最高;較小的二次電子出射能量有利于改善倍增器內(nèi)電子軌跡的發(fā)散并提高倍增器增益。
[Abstract]:The three-dimensional electromagnetic analysis software CST is used to model the box gate electron multiplier structure, and the control variable analysis method is used to modify the model parameters. The electric field distribution, electron motion trajectory and multiplier gain of the electron multiplier are simulated and calculated under the conditions of different structure parameters of the grid and the energy of the outgoing electron. The distribution of the electric field, the trajectory of the electron motion and the gain of the multiplier are calculated. The effects of the structure parameters and the energy of the outgoing electron on the characteristics of the electron multiplier are analyzed. The numerical simulation results show that the density of the grid is too dense or too sparse to reduce the gain of the electron multiplier, and the gain of the multiplier is the highest when the spacing of the grid is 0.9 mm. The smaller secondary electron emission energy can improve the divergence of electron trajectories and increase the gain of the multiplier.
【作者單位】： 西安交通大學(xué)電子物理與器件教育部重點實驗室;中國科學(xué)院西安光學(xué)精密儀器研究所;
【基金】：國家自然科學(xué)基金項目(51271140,61275023)
【分類號】：TN103

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本文編號：2106688