發(fā)布時(shí)間：2018-07-02 21:55

  本文選題：AlN薄膜 + 六方氮化硼��； 參考：《光子學(xué)報(bào)》2017年11期

【摘要】：利用單層六方BN材料(hexagonal BN:hBN)作為成核層,用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積法生長AlN薄膜,得到應(yīng)力小裂紋少的外延材料。實(shí)驗(yàn)中,對hBN材料進(jìn)行人為表面化學(xué)修飾,以增加hBN的缺陷和后續(xù)AlN生長的成核中心。對比分析了有無hBN成核層時(shí)生長的AlN薄膜質(zhì)量,證實(shí)了hBN有助于減少AlN外延層中的裂紋,空氣孔隙及應(yīng)力。研究了V/III生長參數(shù)對AlN薄膜表面形貌、晶體質(zhì)量和應(yīng)力的影響,得到合適的生長窗口,獲得完全無應(yīng)力的氮化鋁外延層,且其位錯密度與藍(lán)寶石上生長的氮化鋁相當(dāng).
[Abstract]:AlN thin films were grown by metal-organic chemical vapor deposition with hexagonal BN (hexagonal BN: HBN) as nucleation layer. The epitaxial materials with less stress cracks were obtained. In order to increase the defects of hBN and the nucleation centers of subsequent AlN growth, the artificial surface chemical modification of hBN materials was carried out. The quality of AlN films grown with or without hBN nucleation layer is compared and analyzed. It is proved that hBN helps to reduce the cracks, air pores and stresses in AlN epitaxial layers. The effects of the growth parameters of V / III on the surface morphology, crystal quality and stress of AlN thin films were investigated. A suitable growth window was obtained, and a completely stress-free epitaxial layer of aluminum nitride was obtained, and the dislocation density was similar to that of Al _ 3N _ 4 grown on sapphire.
【作者單位】： 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所照明研發(fā)中心;中國科學(xué)院大學(xué);北京第三代半導(dǎo)體材料與應(yīng)用工程技術(shù)研究中心;
【基金】：The National Key Research and Development Program(Nos.2016YFB04000803,2016YFB04000802) the National Natural Sciences Foundation of China(Nos.61376047,61527814,61674147,61376090,61204053) Beijing Municipal Science and Technology Project(No.D161100002516002) the National High Technology Program of China(Nos.2014AA032608,2011AA03A111) the National 1000Young Talents Program,and Youth Innovation Promotion Association CAS
【分類號】：TN304.055

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 ;MOCVD Growth of Device-quality GaN on Sapphire[J];Semiconductor Photonics and Technology;2002年01期

2 王浩,范廣涵,廖�？�;MOCVD生長的動力學(xué)模式探討[J];華南師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2003年02期

3 胡曉宇;GaN-MOCVD設(shè)備的發(fā)展現(xiàn)狀及產(chǎn)業(yè)化思考[J];新材料產(chǎn)業(yè);2003年12期

4 ;第八屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會議通知[J];液晶與顯示;2003年01期

5 ;MOCVD技術(shù)[J];電子元件與材料;2004年12期

6 陳燕,王軍鋒,羅惕乾;MOCVD反應(yīng)器的優(yōu)化及其數(shù)學(xué)模型的建立[J];中國農(nóng)機(jī)化;2004年06期

7 聶宇宏;劉勇;姚壽廣;;徑向三重流MOCVD反應(yīng)器壁面溫度的數(shù)值模擬[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);2007年01期

8 ;Effects of growth interruption on the properties of InGaN/GaN MQWs grown by MOCVD[J];Optoelectronics Letters;2007年01期

9 徐謙;楊麗英;張紅;;MOCVD反應(yīng)器輸運(yùn)過程的研究綜述與展望[J];裝備制造技術(shù);2007年10期

10 劉磁輝;劉秉策;付竹西;;Electrical and deep levels characteristics of ZnO/Si heterostructure by MOCVD deposition[J];Chinese Physics B;2008年06期

相關(guān)會議論文 前10條

1 高鴻楷;;MOCVD技術(shù)在中國[A];第十一屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會議論文集[C];2010年

2 M.Heuken;;Next Generation MOCVD Technology with Improved Productivity for LED Production[A];第十一屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會議論文集[C];2010年

3 ;An Investigation of Scalability of a Buffered Distributed Spray MOCVD Reactor by Numerical Analysis[A];第十一屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會議論文集[C];2010年

4 ;370nm UV Electroluminescence from ZnO Based Heterojunction Light-emitting Diodes by Using MOCVD Deposited n-GaN as Substrate[A];第十一屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會議論文集[C];2010年

5 李靜波;張維敬;李長榮;杜振民;;MOCVD的熱力學(xué)分析[A];第九屆全國相圖學(xué)術(shù)會議論文集[C];1997年

6 孟廣耀;;MOCVD科學(xué)與技術(shù)50年回顧與展望[A];第十二屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會議論文集[C];2012年

7 H.Wang;Y.-Y.Fang;S.L.Li;Z.H.Wu;J.N.Dai;C.Q.Chen;;Study of the properties of GaN quantum dots grown on AIN templates by MOCVD[A];第十二屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會議論文集[C];2012年

8 Li-Gong Li;Shu-Man Liu;Shuai Luo;Tao Yang;Xiao-Ling Ye;Li-Jun Wang;Bo Xu;Feng-Qi Liu;Zhan-Guo Wang;;Growth of InAs/GaSb type-Ⅱ superlattices by MOCVD[A];第十二屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會議論文集[C];2012年

9 Yibin Yang;Peng Xiang;Minggang Liu;Weijie Chen;Tufu Chen;Weimin Yang;Yunqian Wang;Yuan Ren;Xiaorong Zhang;Yan Lin;Guoheng Hu;Gangwei Hu;Xiaobiao Han;Zhisheng Wu;Yang Liu;Baijun Zhang;;Improvement of GaN Quality on Si(111) Using SiN_x Interlayer by MOCVD[A];第十二屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會議論文集[C];2012年

10 ;歷屆全國MOCVD會議一覽[A];第十二屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會議論文集[C];2012年

相關(guān)重要報(bào)紙文章 前6條

1 ;全球MOCVD設(shè)備熱銷背后的解讀[N];電子資訊時(shí)報(bào);2006年

2 柯科;國內(nèi)首臺MOCVD設(shè)備實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)[N];廣東科技報(bào);2013年

3 王適春　哲一;依靠自主創(chuàng)新發(fā)展LED產(chǎn)業(yè)[N];中國電子報(bào);2010年

4 本報(bào)記者 梁紅兵;國產(chǎn)MOCVD設(shè)備下線有望降低LED成本[N];中國電子報(bào);2010年

5 記者 鄒平;揚(yáng)州：LED“心臟”生產(chǎn)重鎮(zhèn)[N];揚(yáng)州日報(bào);2012年

6 本報(bào)記者 諸玲珍;LED設(shè)備：關(guān)鍵設(shè)備依賴進(jìn)口 MOCVD并非不可逾越[N];中國電子報(bào);2010年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前10條

1 林志宇;基于MOCVD方法的N面GaN材料生長及特性研究[D];西安電子科技大學(xué);2015年

2 顧然;高質(zhì)量ZnO薄膜的MOCVD外延生長與原位摻雜[D];南京大學(xué);2016年

3 寧振動;銻化物紅外探測材料的MOCVD生長及光電性能研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2016年

4 蔣俊巖;極性可控的GaN與ZnO薄膜的MOCVD外延生長及其組合發(fā)光器件研究[D];吉林大學(xué);2016年

5 胡少林;一種新型MOCVD反應(yīng)腔體多物理耦合分析與實(shí)驗(yàn)研究[D];華中科技大學(xué);2016年

6 朱光耀;ZnO MOCVD的生長模擬與優(yōu)化[D];南京大學(xué);2011年

7 李暉;MOCVD生長GaN的輸運(yùn)—反應(yīng)模型研究[D];江蘇大學(xué);2012年

8 楊天鵬;ZnO薄膜的等離子體輔助MOCVD生長及摻雜研究[D];吉林大學(xué);2009年

9 李述體;III-Ⅴ族氮化物及其高亮度藍(lán)光LED外延片的MOCVD生長和性質(zhì)研究[D];南昌大學(xué);2002年

10 趙旺;MOCVD法制備氧化鋅發(fā)光器件及薄膜晶體管的研究[D];吉林大學(xué);2011年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條

1 王晟;MOCVD設(shè)備氣體輸運(yùn)與加熱控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)[D];華中科技大學(xué);2008年

2 李偉;MOCVD的在線膜厚監(jiān)測系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[D];武漢理工大學(xué);2012年

3 魯二峰;MOCVD溫度監(jiān)測與均勻性研究[D];浙江大學(xué);2014年

4 郭仕寬;SiC襯底GaN基材料MOCVD生長及HEMT器件研制[D];蘭州大學(xué);2015年

5 劉興宇;MOCVD反應(yīng)室感應(yīng)加熱裝置的研究[D];南昌大學(xué);2015年

6 全曉彤;MOCVD法制備氧化鋁薄膜及其阻變特性[D];大連理工大學(xué);2015年

7 呂偉華;MOCVD氣體混合系統(tǒng)的泄漏檢測研究[D];西安電子科技大學(xué);2015年

8 牛瑞;PMOCVD的計(jì)算流體動力學(xué)研究[D];西安電子科技大學(xué);2014年

9 楊源;MOCVD生長氮化鎵的KMC微觀模擬[D];西安電子科技大學(xué);2014年

10 蔣小敏;金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備加熱系統(tǒng)研究與設(shè)計(jì)[D];華中科技大學(xué);2014年

，

本文編號：2091041