本文選題：雙結光電二極管 + 暗電流�。� 參考：《半導體光電》2017年05期

【摘要】：雙結p+/n-well/p-sub光電二極管由于其較高靈敏度、低暗電流而成為熒光檢測光電傳感單元的最佳選擇。文章基于0.5μm CMOS工藝對雙結p+/n-well/p-sub光電二極管進行了版圖優(yōu)化設計,有效減少了硅和二氧化硅界面對光電二極管光吸收區(qū)暗電流的影響。流片后測試表明優(yōu)化后版圖面積為100μm×100μm,雙結p+/n-well/p-sub光電二極管單元的暗電流從11pA減小到了6.5pA,光電流從2.15nA稍有減弱到2.05nA,光暗電流比值提高了60%。優(yōu)化后的雙結p+/n-well/p-sub光電二極管更適用于對微弱的熒光信號檢測。
[Abstract]:Due to its high sensitivity and low dark current, the double junction p / n-well / p-sub photodiode is the best choice for fluorescence detection photoelectric sensor unit. Based on 0.5 渭 m CMOS process, the layout optimization design of double junction p / n-well / p-sub photodiodes is presented, which effectively reduces the influence of the interface between silicon and silicon dioxide on the dark current in the photoabsorption region of the photodiode. The experimental results show that the optimized layout area is 100 渭 m 脳 100 渭 m, the dark current of the double junction p / n-wellp-sub photodiode cell decreases from 11pA to 6.5 Pa, the photocurrent decreases slightly from 2.15nA to 2.05 na, and the ratio of light and dark current increases by 60%. The optimized double junction p / n-well-p-sub photodiode is more suitable for weak fluorescence detection.
【作者單位】： 浙江工業(yè)大學信息工程學院;
【基金】：國家自然科學基金項目(61306090) 浙江省自然科學基金項目(LY17F040004)
【分類號】：TN364.2

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本文編號：2070361