本文選題：絕緣柵雙極性晶體管 + 驅(qū)動(dòng)器��； 參考：《電力電子技術(shù)》2017年07期

【摘要】：中高壓大功率終止型絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)中驅(qū)動(dòng)器一般通過有源箝位電路來抑制其大電流關(guān)斷時(shí)的電壓尖峰。提出將有源箝位電路等效為典型閉環(huán)反饋控制系統(tǒng)并進(jìn)行線性化處理的時(shí)域分析方法,用于分析有源箝位過程初期的動(dòng)態(tài)性能。提出一種針對(duì)穩(wěn)定箝位過程的靜態(tài)分析方法,為有源箝位電路參數(shù)取值及確定箝位工作點(diǎn)提供依據(jù)。針對(duì)雙N-MOSFET驅(qū)動(dòng)級(jí),設(shè)計(jì)了一種對(duì)驅(qū)動(dòng)級(jí)進(jìn)行棒-棒調(diào)節(jié)的有源箝位電路,該電路能降低瞬態(tài)電壓抑制二極管(TVS)擊穿電流,從而降低其在箝位過程中的損耗。最后通過仿真和實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證了理論分析和電路設(shè)計(jì)的可行性、準(zhǔn)確性、有效性。
[Abstract]:In high voltage and high power terminating gate bipolar transistors (IGBT), the voltage spike at high current turn-off is generally suppressed by the active clamp circuit. The active clamp circuit is equivalent to a typical closed-loop feedback control system and linearized in time domain analysis method is proposed to analyze the dynamic performance of the active clamp circuit in the initial stage of the active clamping process. This paper presents a static analysis method for the stable clamping process, which provides a basis for determining the parameters of the active clamp circuit and determining the clamping operating point. For the dual N-MOSFET drive stage, an active clamp circuit is designed to regulate the driver stage. The circuit can reduce the breakdown current of transient voltage suppression diode (TVs) and thus reduce the loss during the clamping process. Finally, the feasibility, accuracy and validity of theoretical analysis and circuit design are verified by simulation and experimental results.
【作者單位】： 湘潭電機(jī)股份有限公司特種電氣事業(yè)部;海軍工程大學(xué)艦船綜合電力技術(shù)國防科技重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【分類號(hào)】：TN322.8

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本文編號(hào)：2067936