本文選題：IGBT芯片性能退化 + 閾值電壓�。� 參考：《電工技術(shù)學(xué)報(bào)》2017年16期

【摘要】：提出一種采用IGBT集電極漏電流對其芯片性能退化進(jìn)程進(jìn)行監(jiān)控的健康狀態(tài)監(jiān)測方法�；贗GBT基本結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體物理和器件可靠性物理學(xué),對IGBT電氣特征量——集電極漏電流的產(chǎn)生機(jī)理、運(yùn)行規(guī)律與性能退化機(jī)理進(jìn)行詳細(xì)分析,查明了其隨性能退化應(yīng)力水平和施加時間的變化規(guī)律。在此基礎(chǔ)上,通過將理論分析與解析描述相結(jié)合,建立針對IGBT芯片性能退化的集電極漏電流健康狀態(tài)監(jiān)測方法。仿真和實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證了該方法的正確性與準(zhǔn)確性。該方法對于實(shí)現(xiàn)IGBT芯片性能退化進(jìn)程監(jiān)控具有一定的理論意義和應(yīng)用價值。
[Abstract]:A method for monitoring the performance degradation of IGBT collector is presented. Based on the basic structure of IGBT, semiconductor physics and device reliability physics, the mechanism of leakage current generation, running rule and degradation mechanism of collector leakage current of IGBT are analyzed in detail. The variation of the stress level and the applied time with the performance degradation is found out. On this basis, a method for monitoring the health status of collector leakage current based on the performance degradation of IGBT chip is established by combining theoretical analysis with analytical description. Simulation and experimental results verify the correctness and accuracy of the method. This method has certain theoretical significance and application value to realize IGBT chip performance degradation process monitoring.
【作者單位】： 艦船綜合電力技術(shù)國防科技重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(海軍工程大學(xué));
【基金】：國家自然科學(xué)基金青年項(xiàng)目(51507185);國家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目(51490681) 國家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃(973計(jì)劃)(2015CB251004)資助
【分類號】：TN322.8

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6 杜熠;李t，

本文編號：2056290