本文選題：IGBT芯片性能退化 + 閾值電壓��； 參考：《電工技術(shù)學報》2017年16期

【摘要】：提出一種采用IGBT集電極漏電流對其芯片性能退化進程進行監(jiān)控的健康狀態(tài)監(jiān)測方法�；贗GBT基本結(jié)構(gòu)、半導體物理和器件可靠性物理學,對IGBT電氣特征量——集電極漏電流的產(chǎn)生機理、運行規(guī)律與性能退化機理進行詳細分析,查明了其隨性能退化應(yīng)力水平和施加時間的變化規(guī)律。在此基礎(chǔ)上,通過將理論分析與解析描述相結(jié)合,建立針對IGBT芯片性能退化的集電極漏電流健康狀態(tài)監(jiān)測方法。仿真和實驗結(jié)果驗證了該方法的正確性與準確性。該方法對于實現(xiàn)IGBT芯片性能退化進程監(jiān)控具有一定的理論意義和應(yīng)用價值。
[Abstract]:A method for monitoring the performance degradation of IGBT collector is presented. Based on the basic structure of IGBT, semiconductor physics and device reliability physics, the mechanism of leakage current generation, running rule and degradation mechanism of collector leakage current of IGBT are analyzed in detail. The variation of the stress level and the applied time with the performance degradation is found out. On this basis, a method for monitoring the health status of collector leakage current based on the performance degradation of IGBT chip is established by combining theoretical analysis with analytical description. Simulation and experimental results verify the correctness and accuracy of the method. This method has certain theoretical significance and application value to realize IGBT chip performance degradation process monitoring.
【作者單位】： 艦船綜合電力技術(shù)國防科技重點實驗室(海軍工程大學);
【基金】：國家自然科學基金青年項目(51507185);國家自然科學基金重點項目(51490681) 國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃(973計劃)(2015CB251004)資助
【分類號】：TN322.8

【相似文獻】

相關(guān)期刊論文 前6條

1 晁代宏;馬靜;張春熹;;基于性能退化數(shù)據(jù)的超輻射發(fā)光二極管可靠性評估研究[J];光學學報;2010年10期

2 薛舫時;;GaN HFET的性能退化[J];微納電子技術(shù);2007年11期

3 賈占強;梁玉英;蔡金燕;;基于加速性能退化試驗的板級可靠性評估[J];無線電工程;2008年02期

4 周月閣;葉雪榮;翟國富;;基于性能退化和Monte-Carlo仿真的系統(tǒng)性能可靠性評估[J];儀器儀表學報;2014年05期

5 鐘強暉;張志華;李大偉;;基于性能退化的電子產(chǎn)品篩選試驗設(shè)計[J];電子學報;2013年09期

6 杜熠;李t，

本文編號：2056290