Ku波段12 W GaAs pHMET功率MMIC
本文選題:GaAs功率放大器 + Ku波段 ; 參考:《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》2017年03期
【摘要】:報(bào)道了一款采用0.25μm GaAs功率MMIC工藝研制的Ku波段功率放大器芯片。芯片采用三級放大拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),末級輸出匹配電路按照高效率設(shè)計(jì),同時(shí)優(yōu)化前后級推動比控制前級電流。級間采用有耗匹配電路設(shè)計(jì),提高大信號狀態(tài)下的穩(wěn)定性。在16~18GHz頻帶范圍內(nèi)漏壓8.5V、脈寬1μs、占空比40%的工作條件下線性增益大于25dB;飽和輸出功率大于12 W,飽和效率大于32%,功率增益大于21dB,功率增益平坦度小于±0.5dB。芯片尺寸為3.5mm×4.6mm。
[Abstract]:A Ku-band power amplifier chip developed by 0.25 渭 m GaAs power MMIC process is reported. The chip adopts a three-stage amplifier topology, the final stage output matching circuit is designed according to the high efficiency, and the forward stage current is controlled by optimizing the propulsive ratio of the front stage. A lossy matching circuit is used between stages to improve the stability of large signal state. The linear gain is more than 25 dB under the condition of leakage voltage 8.5 V, pulse width 1 渭 s, duty cycle 40%, saturation output power is more than 12 W, saturation efficiency is more than 32dB, power gain is more than 21 dB, and power gain flatness is less than 鹵0.5 dB. The chip size is 3.5mm 脳 4.6 mm.
【作者單位】: 海軍駐南京地區(qū)電子設(shè)備軍事代表室;
【分類號】:TN722.75
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,本文編號:2050652
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