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高度取向的半導(dǎo)體聚合物薄膜的溶液浸涂法生長及其電荷傳輸特性研究

發(fā)布時間:2018-06-19 02:02

  本文選題:半導(dǎo)體聚合物 + 分子取向 ; 參考:《物理學(xué)報》2017年15期


【摘要】:有效地控制有機半導(dǎo)體分子取向和堆積特性對實現(xiàn)高性能電子器件具有非常重要的意義,而發(fā)展簡便高效的溶液相成膜技術(shù)是實現(xiàn)這一目的的重要途徑.本文采用改進(jìn)的溶液浸涂法,成功地成長出大面積宏觀取向的半導(dǎo)體聚合物P(NDI2OD-T2)和PTHBDTP薄膜.偏光顯微鏡和極化的紫外-可見光吸收譜測量顯示,薄膜中聚合物分子主鏈骨架沿成膜時液面下移方向擇優(yōu)取向.原子力顯微鏡觀察到聚合物薄膜由納米尺度的取向有序晶疇構(gòu)成,疇的取向與分子鏈的取向一致.采用襯底-溶液界面處表面張力和溶劑蒸發(fā)誘導(dǎo)的分子自組織過程來解釋浸涂法生長聚合物取向薄膜的微觀機理.使用取向的P(NDI2OD-T2)薄膜制備場效應(yīng)晶體管,顯著地提高了電子遷移率(可達(dá)4倍),并實現(xiàn)高達(dá)19的遷移率各向異性度.這可歸因于共軛的聚合物主鏈骨架擇優(yōu)取向引起電荷傳導(dǎo)通路的變化.
[Abstract]:The effective control of the molecular orientation and accumulation characteristics of organic semiconductors is of great importance to the realization of high performance electronic devices. The development of simple and efficient solution film forming technology is an important way to achieve this purpose. In this paper, an improved solution immersion method has been adopted to successfully develop a large area macro oriented semiconductor polymer P (NDI 2OD-T2) and PTHBDTP thin films. Polarizing microscope and polarimetric UV visible absorption spectra show that the main chain skeleton of the polymer molecules in the film moves down the orientation of the liquid surface. The atomic force microscope observed that the polymer films are constructed from the ordered ordered domain of the nanoscale, and the orientation of the domain is in accordance with the orientation of the molecular chain. The surface tension at the substrate solution interface and the molecular self-organizing process induced by solvent evaporation explain the micromechanism of the polymer oriented thin films grown by the dip coating method. The field effect transistors are prepared by using the orientation P (NDI2OD-T2) film, which significantly improves the electron mobility (up to 4 times) and achieves a high mobility of 19 of the anisotropy of the migration rate. The charge transduction pathway changes due to the preferred orientation of conjugated polymer backbone chains.
【作者單位】: 中國科學(xué)院強磁場科學(xué)中心;中國科學(xué)技術(shù)大學(xué);
【基金】:國家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號:11574314,U1532156) 中國科學(xué)院“百人計劃”資助的課題~~
【分類號】:TN304


本文編號:2037847

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