本文選題：硅功率器件 + 寬禁帶半導(dǎo)體器件�。� 參考：《微電子學(xué)》2017年05期

【摘要】：功率半導(dǎo)體器件是航天器電源系統(tǒng)中的核心元件,太空環(huán)境中的粒子輻射會(huì)使其發(fā)生失效。首先,總結(jié)了硅功率半導(dǎo)體器件幾種主要的輻射效應(yīng)。然后,介紹了近年來(lái)一些新的研究成果和研究熱點(diǎn)。最后,對(duì)第三代半導(dǎo)體功率器件中的輻射效應(yīng)進(jìn)行了簡(jiǎn)單介紹。
[Abstract]:Power semiconductor devices are the core components in spacecraft power supply system, which can be invalidated by particle radiation in space environment. Firstly, several main radiation effects of silicon power semiconductor devices are summarized. Then, some new research results and research hot spots in recent years are introduced. Finally, the radiation effects in the third generation semiconductor power devices are briefly introduced.
【作者單位】： 清華大學(xué)微電子學(xué)研究所;中國(guó)空間技術(shù)研究院;華東師范大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院;北京極光源芯科技有限公司;唐山供電公司;
【基金】：國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃資助項(xiàng)目(2017YFB 0404100) 清華大學(xué)自主科研項(xiàng)目(20141081190)
【分類(lèi)號(hào)】：TN303

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7 文泰;華微電子 定增募資6.69億投兩項(xiàng)目[N];證券時(shí)報(bào);2011年

8 記者 何旭 通訊員 張勇;中國(guó)北車(chē)率先實(shí)現(xiàn)6500伏以上IGBT產(chǎn)品封裝[N];人民鐵道;2012年

9 記者 覃秘;華微電子擬定增募資6.7億擴(kuò)產(chǎn)[N];上海證券報(bào);2011年

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本文編號(hào)：2036352