本文選題：AlGaN/GaN + GaN功率放大器　； 參考：《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》2017年02期

【摘要】：報(bào)道了一款采用三級(jí)放大結(jié)構(gòu)的Ku波段高效率GaN功率放大器芯片。放大器設(shè)計(jì)中通過(guò)電路布局優(yōu)化改善功放芯片內(nèi)部相位一致性,提高末級(jí)晶胞的合成效率,最終實(shí)現(xiàn)整個(gè)放大器功率及效率的提升。經(jīng)匹配優(yōu)化后放大器在14.6~17.0GHz頻帶內(nèi)脈沖輸出功率大于20 W,功率附加效率大于36%,最高39%。功率放大器芯片采用0.25μm GaN HEMT 101.6mm(4英寸)圓片工藝制造,芯片尺寸為2.3mm×1.9mm。
[Abstract]:A Ku band high efficiency gan power amplifier chip with three-stage amplifier structure is reported. In the design of the amplifier, the internal phase consistency of the power amplifier chip is improved by optimizing the circuit layout, and the synthesis efficiency of the final stage unit cell is improved. Finally, the power and efficiency of the whole amplifier are improved. After matching optimization, the output power of the amplifier is more than 20 W in the frequency band of 14.6g ~ 17.0GHz, the additional efficiency of the power is more than 36, and the maximum is 39. The power amplifier chip is fabricated by a 0.25 渭 m gan HEMT 101.6mm(4 inch) wafer process. The chip size is 2.3mm 脳 1.9 mm.
【作者單位】： 南京電子器件研究所;微波毫米波單片集成和模塊電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【分類(lèi)號(hào)】：TN722.75

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本文編號(hào)：2034530