本文選題：分離柵 + MSO結(jié)構(gòu)　； 參考：《微電子學(xué)與計(jì)算機(jī)》2017年10期

【摘要】：把多個(gè)側(cè)壁階梯氧化層應(yīng)用于分離柵溝槽MOSFET(Split-Gate Trench MOSFET,SGT結(jié)構(gòu)),并把改進(jìn)的結(jié)構(gòu)稱為多階梯側(cè)壁氧化層分離柵溝槽MOSFET(Multi-Step Sidewall Oxides Split-Gate Trench MOSFET,MSO結(jié)構(gòu)),之后介紹了MSO結(jié)構(gòu)的器件結(jié)構(gòu)和制備工藝,重點(diǎn)借助TCAD仿真軟件對(duì)MSO結(jié)構(gòu)的外延層摻雜濃度、頂部側(cè)氧厚度與底部側(cè)氧厚度進(jìn)行優(yōu)化,最終仿真得到擊穿電壓為126V,特征導(dǎo)通電阻為30.76mΩ·mm~2和特征柵漏電荷為0.351nC·mm~(-2)的MSO結(jié)構(gòu).在近似相等的擊穿電壓下,與傳統(tǒng)SGT結(jié)構(gòu)相比,MSO結(jié)構(gòu)的特征導(dǎo)通電阻及特征柵漏電荷均有所降低,這兩項(xiàng)參數(shù)綜合反映器件的優(yōu)值(FOM=Qgd,sp×RonA)降低了39.6%.
[Abstract]:Several sidewall step oxide layers are applied to the Split-Gate Trench MOSFET-SGT structure, and the improved structure is called Multi-Step Sidewall Oxides Split-Gate ch MOSFET ETMSO structure. Then the device structure and fabrication process of the MSO structure are introduced. The epitaxial layer doping concentration, top side oxygen thickness and bottom side oxygen thickness of MSO structure were optimized by TCAD simulation software. The final simulation results show that the breakdown voltage is 126V, the characteristic on-resistance is 30.76m 惟 mm~2 and the characteristic gate leakage charge is 0.351nC mm / m ~ (-2). At approximately the same breakdown voltage, the characteristic on-resistance and the characteristic gate leakage charge of the MSO structure are lower than that of the traditional SGT structure. These two parameters comprehensively reflect that the excellent value of the device is 39.6% lower than that of the conventional SGT structure.
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所;中國(guó)科學(xué)院硅器件技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國(guó)科學(xué)院大學(xué);
【基金】：國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目(2016YFB0901800)
【分類號(hào)】：TN386

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本文編號(hào)：2016453