本文選題：體襯底氮化鎵 + 肖特基二極管　； 參考：《固體電子學(xué)研究與進展》2017年03期

【摘要】：在自支撐襯底n-GaN外延片上制備了圓形Ni/Au/n-GaN肖特基接觸結(jié)構(gòu),測量和分析器件的變溫電流-電壓(I-V)特性,研究了其正向和反向電流的輸運機制。結(jié)果表明:在正向偏壓下,隨著溫度從300K增加至420K,器件的理想因子由1.8減小至1.2,表明在高溫下復(fù)合機制逐漸被熱發(fā)射機制替代;在反向小偏壓下,漏電流表現(xiàn)顯著的溫度和電壓依賴特性,且ln(I)-E~(1/2)數(shù)據(jù)滿足較好線性規(guī)律,這表明肖特基效應(yīng)的電子熱發(fā)射機制應(yīng)占主導(dǎo);而在更高的反向偏壓下,電流逐漸變成溫度的弱函數(shù),且數(shù)據(jù)遵循ln(I/E~2)-1/E線性依賴關(guān)系,該行為與Fowler-Nordheim隧穿特性一致。
[Abstract]:A circular Ni / Au / n - GaN Schottky contact structure is prepared on the self - supporting substrate n - GaN epitaxial wafer . The current - voltage ( I - V ) characteristics of the device are measured and analyzed . The results show that under the forward bias , the ideal factor of the device is reduced from 1.8 to 1.2 , which indicates that the composite mechanism is gradually replaced by the heat emission mechanism under the reverse bias voltage . In the reverse bias , the current gradually becomes a weak function of temperature , and ln ( I / E ~ 2 ) -1 / E linear dependence , the behavior is consistent with Fowler - nordheim tunneling .
【作者單位】： 物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)應(yīng)用教育部工程研究中心江南大學(xué)電子工程系;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(61504050) 江蘇省自然科學(xué)基金資助項目(BK 20130156,BK20140168,BK20150158) 江蘇省2015年度普通高校研究生科研創(chuàng)新計劃項目(KYLX15_1195)
【分類號】：TN311.7
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本文編號：2001014