基于0.15μm pHEMT的超寬帶低噪聲放大器
本文選題:贗同晶高電子遷移率晶體管 + 低噪聲放大器。 參考:《微電子學(xué)》2017年04期
【摘要】:采用RC負(fù)反饋、源極電感負(fù)反饋等方法,設(shè)計并制作了一種基于MMIC技術(shù)的3~15 GHz超寬帶低噪聲放大器,在超寬帶范圍內(nèi)實現(xiàn)了優(yōu)良的回波損耗和平坦的高增益。采用0.15μm Ga As p HEMT工藝進(jìn)行設(shè)計,該放大器的芯片尺寸為2 mm×1 mm,直流功耗為200 m W。在片測試結(jié)果表明,帶內(nèi)增益高達(dá)28 d B,4~12 GHz帶寬范圍內(nèi)的噪聲系數(shù)低于2 d B,輸入/輸出回波損耗大于15 d B,測試結(jié)果與仿真結(jié)果十分吻合。該低噪聲放大器可應(yīng)用于S,C,X,Ku波段外差接收機(jī)以及毫米波、亞毫米波接收機(jī)的中頻模塊。
[Abstract]:By using the methods of RC negative feedback and source inductor negative feedback, an ultra-wideband low noise amplifier (UWB) based on MMIC technology is designed and fabricated. The excellent echo loss and flat high gain are realized in the UWB range. A 0.15 渭 m GaAs pHEMT process is used to design the amplifier. The chip size of the amplifier is 2 mm 脳 1 mm and the DC power consumption is 200 MW. The results show that the in-band gain is up to 28 dB ~ 4GHz and the noise coefficient is less than 2 dB, and the input / output echo loss is greater than 15 dB. The measured results are in good agreement with the simulation results. The low noise amplifier can be applied to the heterodyne receiver and the intermediate frequency module of millimeter-wave and sub-millimeter-wave receiver.
【作者單位】: 南京郵電大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院;
【基金】:國家自然科學(xué)基金資助項目(11403080)
【分類號】:TN722.3
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,本文編號:1995523
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