本文選題：相變單元 + Set操作　； 參考：《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》2017年01期

【摘要】：基于相變單元電壓操作的局限性,提出一種電流編程操作的方法。針對納秒級快速相變的需求,設(shè)計了一款高速可編程的脈沖電流源,采用0.35μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝。結(jié)果顯示:在10MHz編程速度的條件下,驅(qū)動脈沖電流能夠良好地跟隨控制信號的脈沖波形;當(dāng)編程信號頻率從500kHz到10 MHz變化時,輸出電流變化為4.5%;當(dāng)編程電阻從200Ω到10kΩ變化時,輸出電流精度誤差不到3%,芯片面積為0.84mm2。在高速可編程脈沖電流源的測試平臺上,對相變單元進(jìn)行電流編程操作,結(jié)果顯示,相變電阻能夠可靠地進(jìn)行晶態(tài)-非晶態(tài)的高速可逆相變。
[Abstract]:Based on the limitation of phase change unit (PCU) voltage operation, a current programming operation method is proposed. According to the requirement of nanosecond fast phase transition, a high speed programmable pulse current source is designed, which adopts 0.35 渭 m standard CMOS technology. The results show that under the condition of 10MHz programming speed, the driving pulse current can follow the pulse waveform of the control signal well, the output current changes to 4.5 when the programming signal frequency changes from 500kHz to 10MHz, and when the programmed resistance changes from 200 惟 to 10k 惟, The output current accuracy error is less than 3. The chip area is 0. 84 mm. 2 mm. On the test platform of high speed programmable pulse current source, the phase change unit is operated by current programming. The results show that the phase change resistance can reliably carry out the high speed reversible phase transition between crystalline state and amorphous state.
【作者單位】： 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：中國科學(xué)院戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專項(xiàng)資助項(xiàng)目(XDA09020402) 國家集成電路重大專項(xiàng)資助項(xiàng)目(2009ZX02023-003)
【分類號】：TN432;TP333

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本文編號：1992240