發(fā)布時間：2018-06-05 00:47

  本文選題：氮化鋁 + 納米柱��； 參考：《半導體技術(shù)》2017年09期

【摘要】：采用金屬有機化合物化學氣相沉積(MOCVD)方法在2英寸(1英寸=2.54 cm)c面藍寶石襯底上異質(zhì)外延厚度1μm、具有原子級平整表面的高質(zhì)量氮化鋁(Al N)外延層。并在此高質(zhì)量Al N薄膜的基礎(chǔ)上開發(fā)了基于納米壓印光刻技術(shù)、干法刻蝕和濕法腐蝕相結(jié)合的工藝,通過自上而下的方法制備得到了大面積范圍內(nèi)規(guī)則排列的Al N納米柱陣列,納米柱的高度和直徑分別為1μm和535 nm。研究結(jié)果表明,高晶體質(zhì)量的Al N材料以及基于AZ400K溶液的濕法腐蝕工藝是制備無腐蝕坑且側(cè)壁光滑的垂直Al N納米柱陣列的關(guān)鍵。Al N納米柱陣列的制備為深紫外納米柱發(fā)光器件的研究奠定了基礎(chǔ)。
[Abstract]:A high quality aluminum nitride (Al N) epitaxial layer with atomic level flat surface on sapphire substrate with 2 inches and 1 inch surface was prepared by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) method with a heteroepitaxial thickness of 1 渭 m on the sapphire substrate. On the basis of the high quality Al N thin film, we have developed the process of combining dry etching and wet etching based on nano-imprint lithography technology. By top-down method, the regular array of Al N nanocolumns in a large area has been prepared. The height and diameter of the nanocolumn are 1 渭 m and 535 nm, respectively. The results show that High Crystalline quality Al N Materials and Wet etching process based on AZ400K solution is the key to fabricate Vertical Al N Nanocolumn arrays without corrosion Pit and smooth sidewall. The fabrication of AlN Nanocolumn arrays is a deep ultraviolet nanocolumn luminescent device. The research in this paper has laid the foundation.
【作者單位】： 中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院集成電路研究所;中國科學院半導體研究所半導體照明研發(fā)中心;中國科學院大學;北京市第三代半導體材料及應(yīng)用技術(shù)工程中心;半導體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室;
【基金】：國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性先進電子材料”重點專項(2016YFB04000803,2016YFB04000802) 國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃(863計劃)資助項目(2014AA032608) 國家自然科學基金資助項目(61376090,61376047,61527814,61674147,61204053) 北京市科委重大項目課題資助項目(D161100002516002)
【分類號】：TN305.7

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本文編號：1979643