本文選題：靜態(tài)隨機(jī)存儲器 + 線性能量傳輸值　； 參考：《電子與信息學(xué)報(bào)》2017年11期

【摘要】：基于Synopsys公司3D TCAD器件模擬,該文通過改變3種工藝參數(shù),研究65 nm體硅CMOS工藝下PMOS晶體管工藝參數(shù)變化對靜態(tài)隨機(jī)存儲器(Static Random Access Memory,SRAM)存儲單元翻轉(zhuǎn)恢復(fù)效應(yīng)的影響。研究結(jié)果表明:降低PMOS晶體管的P+深阱摻雜濃度、N阱摻雜濃度或調(diào)閾摻雜濃度,有助于減小翻轉(zhuǎn)恢復(fù)所需的線性能量傳輸值(Linear Energy Transfer,LET);通過降低PMOS晶體管的P+深阱摻雜濃度和N阱摻雜濃度,使翻轉(zhuǎn)恢復(fù)時(shí)間變長。該文研究結(jié)論有助于優(yōu)化SRAM存儲單元抗單粒子效應(yīng)(Single-Event Effect,SEE)設(shè)計(jì),并且可以指導(dǎo)體硅CMOS工藝下抗輻射集成電路的研究。
[Abstract]:Based on the 3D TCAD device simulation of Synopsys Company, the effect of the process parameters of PMOS transistors on the flip recovery of static Random Access memory (SRAM) memory cells in 65nm bulk silicon CMOS process is studied by changing three kinds of process parameters. The results show that the P deep well doping concentration and N well doping concentration or threshold modulation doping concentration of PMOS transistors are reduced. It is helpful to reduce the linear energy transfer value of linear Energy transfer through decreasing the P deep well doping concentration and N well doping concentration of PMOS transistors, and to make the inversion recovery time longer by reducing the P deep well doping concentration and N well doping concentration of PMOS transistors. The conclusion of this paper is helpful to optimize the design of single-Event EffectSEE (single event effect) for SRAM memory cells, and can guide the research of anti-radiation integrated circuits in bulk silicon CMOS process.
【作者單位】： 安徽大學(xué)電子信息工程學(xué)院;工業(yè)和信息化部產(chǎn)業(yè)發(fā)展促進(jìn)中心;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(61674002,61474001,61574001)~~
【分類號】：TN32;TP333

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本文編號：1956844